| 講演名 | 2009-07-30 p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般) 杉山 貴之, 飯田 大輔, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体ノーマリーオフHFETは高出力・耐環境デバイスとして期待されている。p-GaNゲートを有するIII族窒化物半導体ノーマリーオフ型HFETの高温動作と閾値電圧の制御を確認した. |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor (HFET) is promising for high-efficiency power switching device operated at high temperature. This paper reports threshold voltage control and temperature dependence of normally off mode AlGaN/GaN HFET with p-type GaN gate |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / Junction HFET / p-GaNゲート / ノーマリーオフ / 温度特性 / 閾値電圧 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / Junction HFET / p-type GaN gate / normally-off / temperature dependence / Threshold voltage |
| 資料番号 | ED2009-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/7/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Threshold voltage control and temperature dependence of normally off mode AlGaN/GaN HFET with p-type GaN gate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Junction HFET / Junction HFET |
| キーワード(4)（和/英） | p-GaNゲート / p-type GaN gate |
| キーワード(5)（和/英） | ノーマリーオフ / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | 温度特性 / temperature dependence |
| キーワード(7)（和/英） | 閾値電圧 / Threshold voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉山 貴之 / Takayuki Sugiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯田 大輔 / Daisuke Iida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科 Faculty of Engineering, Meijo University |
| 発表年月日 | 2009-07-30 |
| 資料番号 | ED2009-108 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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