| 講演名 | 2009-08-11 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 齋藤 健, 永田 一樹, 末光 眞希, 遠藤 哲郎, 伊藤 隆, 中澤 日出樹, 成田 克, 高田 雅介, 赤羽 正志, 安井 寛治, |
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| 抄録(和) | GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。これまでAlNバッファー層成長過程においていくつかの間欠ガス供給パターンを用いてGaNの成長を行った。このAlNバッファー層形成条件についてはGaN結晶性向上にとって良好な条件を見出せたが、GaN膜の成長過程において最適な間欠ガス供給条件を見出していない。今回、気相反応を抑制することでGaN膜の特性を更に改善出来ないか、アンモニア及びアルキル金属原料ガスを間欠供給させ成長を行った。また、1パルスあたりのTMGの供給量を制御しGaN成長を試みた。その結果、TMGを間欠供給、アンモニアを連続供給させた場合において結晶性、発光特性ともに優れたGaN膜が得られた。また、Ga原料ガス原料供給の周期8秒で最も良い結晶膜が得られた。 |
| 抄録(英) | Hot-mesh CVD with various gas supply modes for the epitaxial growth of gallium nitride (GaN) on Si was investigated for the improvement of its crystallinity and optical properties. The optimal interruption time in an intermittent TMG gas supply was also investigated. As a result, the good crystallinity of GaN films was obtained by an intermittent gas supply of TMG and a continuous supply of NH_3 gas. The best crystallinity was obtained at an interruption time of 8s. |
| キーワード(和) | GaN / AlN / Altemating supply / Intermittent supply / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD |
| キーワード(英) | hot-mesh CVD / GaN / AlN / intermittent gas supply / Ru / W-mesh |
| 資料番号 | CPM2009-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2009/8/3(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of gallium nitride on Si by hot-mesh CVD method with intermittent gas supplies |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / hot-mesh CVD |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Altemating supply / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | Intermittent supply / intermittent gas supply |
| キーワード(5)（和/英） | Ru / Ru |
| キーワード(6)（和/英） | W-mesh / W-mesh |
| キーワード(7)（和/英） | Hot-mesh CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齋藤 健 / Takeshi SAITOU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永田 一樹 / Kazuki NAGATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki SUEMITSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Inst. of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo ENDOH |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学学際科学国際高等研究センター Center of Interdisciplinary Research, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆 / Takashi ITO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Inst. of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki NAKAZAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 弘前大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science & Technology, Hirosaki University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 山形大学工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高田 雅介 / Masasuke TAKATA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2009-08-11 |
| 資料番号 | CPM2009-45 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 171 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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