講演名 2009-08-11
TSFZ法によるBi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10>単結晶の育成と評価
櫛引 治樹, 渡辺 孝夫, 伊藤 康仁, 藤井 武則,
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抄録(和) Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10>(Bi-2223)は単結晶育成が難しく、近年、TSFZ法により結晶育成に成功したものの、結晶サイズや純度の点で課題が存在する。今回、TSFZ法を用いて育成速度0.03mm/hという非常に遅い速度で結晶育成を行った。得られた結晶は、a軸4mm、b軸2mmを持つ大型の結晶で、Bi-2223のXRDピークが得られていた。直流四端子法による抵抗測定を行った所、面内抵抗、c軸抵抗共にシャープな転移を示し、Bi-2223の超伝導転移温度T_cである107Kでゼロ抵抗を示した。
抄録(英) Although single crystals of Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10>(Bi-2223) have been successfully grown using traveling solvent floating-zone (TSFZ) method in recent years, they have problems in crystal-size and purity. We performed crystal growth at very slow growth velocity 0.03mm/h with TSFZ. The obtained crystals are as large as 4×4mm^2. X-ray diffraction pattern shows Bi-2223 peaks. After annealing samples under O_2 flow for 50 hours at 500℃, we measured the in-plane resistance R_ and the c-axis resistance R_c, Every sample shows sharp transition and zero -resistance at 107K of superconductor transition temperature, T_c, of Bi-2223.
キーワード(和) 高温超伝導 / 単結晶育成 / Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10>
キーワード(英) High -T_c superconductor / Single crystal growth / Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10>
資料番号 CPM2009-42
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2009/8/3(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) TSFZ法によるBi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10>単結晶の育成と評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Crystal growth and characterization of Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10> grown by TSFZ method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 高温超伝導 / High -T_c superconductor
キーワード(2)(和/英) 単結晶育成 / Single crystal growth
キーワード(3)(和/英) Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10> / Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_<10>
第 1 著者 氏名(和/英) 櫛引 治樹 / Haruki KUSHIBIKI
第 1 著者 所属(和/英) 弘前大学理工学部
Advanced Physics, University of Hirosaki
第 2 著者 氏名(和/英) 渡辺 孝夫 / Takao WATANABE
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学低温センター
Advanced Physics, University of Hirosaki
第 3 著者 氏名(和/英) 伊藤 康仁 / Yasuhito ITO
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学低温センター
Advanced Physics, University of Hirosaki
第 4 著者 氏名(和/英) 藤井 武則 / Takenori FUJII
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学低温センター
Cryogenic Center, University of Tokyo
発表年月日 2009-08-11
資料番号 CPM2009-42
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 171
ページ範囲 pp.-
ページ数 3
発行日