講演名 | 2009-08-10 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 三浦 創史, 中澤 日出樹, 西崎 圭太, 末光 眞希, 安井 寛治, 伊藤 隆, 遠藤 哲郎, 成田 克, |
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抄録(和) | ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン(MMS)を用いた高周波プラズマ化学気相成長法によりSi添加DLC(Si-DLC)膜を作製し、希釈ガスの種類や基板バイアスの方法について詳細な検討を行った。原料ガスとしてCH_4及びMMS、希釈ガスとしてAr又はH_2を使用し、基板には直流又はパルスバイアスを印加した。同じMMS/(MMS+CH_4)流量比では直流バイアスに比べてパルスバイアスの方が膜中のSi組成[Si/(Si+C)]が大きくなることがわかった。膜中へのSiの添加によって内部応力および摩擦係数が減少するが、パルスバイアスまたは希釈ガスにH_2を用いることで、成膜中での微粒子の発生が抑制され摩擦係数が更に減少することがわかった。 |
抄録(英) | To further improve the properties of diamond-like carbon (DLC) films, we have deposited Si-incorporated DLC (Si-DLC) films by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using monomethylsilane (MMS) as a Si source, and investigated in detail the effects of dilution gas and substrate bias on the film properties. CH_4 and MMS gases were used to deposit Si-DLC films, and they were diluted with Ar or H_2 during deposition. A DC bias or a pulse bias applied to the substrate was used to increase the incident ion energy. The Si-DLC films deposited using the pulse bias were found to have a higher Si atomic fraction ratio [Si/(Si+C)] than the films deposited using the DC bias at identical MMS/(MMS+CH_4) ratio. The internal stress and friction coefficient decreased by the addition of Si into the films. It was found that the use of the pulse bias and/or H_2 dilution gas was effective in suppressing the formation of particles and further decreasing the friction coefficient. |
キーワード(和) | Si添加ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長法 / 有機シラン |
キーワード(英) | Si-incorporated diamond-like carbon / plasma-enhanced chemical vapor deposition / organosilane |
資料番号 | CPM2009-36 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2009/8/3(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Characterization of Diamond-Like Carbon Thin Films Prepared by Radio-Fequency Pasma-Ehanced CVD Uing Organosilane |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Si添加ダイヤモンドライクカーボン / Si-incorporated diamond-like carbon |
キーワード(2)(和/英) | プラズマ化学気相成長法 / plasma-enhanced chemical vapor deposition |
キーワード(3)(和/英) | 有機シラン / organosilane |
第 1 著者 氏名(和/英) | 三浦 創史 / Soushi MIURA |
第 1 著者 所属(和/英) | 弘前大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Hirosaki University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 中澤 日出樹 / Hideki NAKAZAWA |
第 2 著者 所属(和/英) | 弘前大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Hirosaki University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 西崎 圭太 / Keita NISHIZAKI |
第 3 著者 所属(和/英) | 弘前大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Hirosaki University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 末光 眞希 / Maki SUEMITSU |
第 4 著者 所属(和/英) | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
第 5 著者 所属(和/英) | 長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 伊藤 隆 / Takashi ITOH |
第 6 著者 所属(和/英) | 東北大学学際科学国際高等研究センター Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 遠藤 哲郎 / Tetsuo ENDOH |
第 7 著者 所属(和/英) | 東北大学学際科学国際高等研究センター Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University |
第 8 著者 氏名(和/英) | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
第 8 著者 所属(和/英) | 山形大学工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
発表年月日 | 2009-08-10 |
資料番号 | CPM2009-36 |
巻番号(vol) | vol.109 |
号番号(no) | 171 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |