講演名 | 2009-08-10 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製 鈴木 真一郎, 仙石 昌, 辻 拓真, 逸見 充則, 村田 裕亮, 山上 朋彦, 林部 林平, 上村 喜一, |
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抄録(和) | MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜/SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ10^<12>cm<-2>eV^<-1>であった。この値は、酸化と熱処理により作製したSiO_2/SiC MIS構造で報告されている値に近い。窒化膜上に酸化膜を重ねて堆積したMIS構造についてTerman法で界面準位密度を評価し、比較した結果、ほぼ同程度の値となった。高温で窒化した試料ほど低い界面準位密度が得られた。 |
抄録(英) | Interface state density was estimated from diode factor n of SiC MIS Schottky diode. The interface state density was the order of 10^<12>cm^<-2>eV^<-1>, and was same order to the value for the sample carefully prepared by oxidation and post oxidation annealing. The interface state density determined from n was consistent to the value calculated from the capacitance voltage curve of SiO_2/nitride/SiC MIS diode by Terman method. High temperature nitridation was effective to reduce the interface state density. |
キーワード(和) | SiC / 窒化 / 界面 / MISショットキー |
キーワード(英) | SiC / Nitride / Interface / MIS Schottky |
資料番号 | CPM2009-35 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2009/8/3(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication of SiC MIS structure using direct nitridation layer as an interfacial layer |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SiC / SiC |
キーワード(2)(和/英) | 窒化 / Nitride |
キーワード(3)(和/英) | 界面 / Interface |
キーワード(4)(和/英) | MISショットキー / MIS Schottky |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 真一郎 / Shin'ichiro SUZUKI |
第 1 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 仙石 昌 / Akira SENGOKU |
第 2 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 辻 拓真 / Takuma TSUJI |
第 3 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 逸見 充則 / Mitsunori HENMI |
第 4 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 村田 裕亮 / Yusuke MURATA |
第 5 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI |
第 6 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 林部 林平 / Rinpei HAYASHIBE |
第 7 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
第 8 著者 氏名(和/英) | 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA |
第 8 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
発表年月日 | 2009-08-10 |
資料番号 | CPM2009-35 |
巻番号(vol) | vol.109 |
号番号(no) | 171 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |