講演名 2009-08-10
直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
鈴木 真一郎, 仙石 昌, 辻 拓真, 逸見 充則, 村田 裕亮, 山上 朋彦, 林部 林平, 上村 喜一,
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抄録(和) MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜/SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ10^<12>cm<-2>eV^<-1>であった。この値は、酸化と熱処理により作製したSiO_2/SiC MIS構造で報告されている値に近い。窒化膜上に酸化膜を重ねて堆積したMIS構造についてTerman法で界面準位密度を評価し、比較した結果、ほぼ同程度の値となった。高温で窒化した試料ほど低い界面準位密度が得られた。
抄録(英) Interface state density was estimated from diode factor n of SiC MIS Schottky diode. The interface state density was the order of 10^<12>cm^<-2>eV^<-1>, and was same order to the value for the sample carefully prepared by oxidation and post oxidation annealing. The interface state density determined from n was consistent to the value calculated from the capacitance voltage curve of SiO_2/nitride/SiC MIS diode by Terman method. High temperature nitridation was effective to reduce the interface state density.
キーワード(和) SiC / 窒化 / 界面 / MISショットキー
キーワード(英) SiC / Nitride / Interface / MIS Schottky
資料番号 CPM2009-35
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2009/8/3(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of SiC MIS structure using direct nitridation layer as an interfacial layer
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC
キーワード(2)(和/英) 窒化 / Nitride
キーワード(3)(和/英) 界面 / Interface
キーワード(4)(和/英) MISショットキー / MIS Schottky
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 真一郎 / Shin'ichiro SUZUKI
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 2 著者 氏名(和/英) 仙石 昌 / Akira SENGOKU
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 3 著者 氏名(和/英) 辻 拓真 / Takuma TSUJI
第 3 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 4 著者 氏名(和/英) 逸見 充則 / Mitsunori HENMI
第 4 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 5 著者 氏名(和/英) 村田 裕亮 / Yusuke MURATA
第 5 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 6 著者 氏名(和/英) 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI
第 6 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 7 著者 氏名(和/英) 林部 林平 / Rinpei HAYASHIBE
第 7 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 8 著者 氏名(和/英) 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA
第 8 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
発表年月日 2009-08-10
資料番号 CPM2009-35
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 171
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日