| 講演名 | 2009-08-10 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価 成田 克, 安冨 伍郎, 右ノ子 知恵, 稲永 征司, 並木 章, |
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| 抄録(和) | Si(100)表面からの水素分子(D_2)の脱離kineticsを昇温脱離法(Temperature-Programmed Desorption:TPD)と等温脱離法を用いて調べた.TPDスペクトルの片対数プロットから,水素脱離には3つの脱離チャネル(β_<1,A>,β_<1,B>,C)が存在することを見出した.β_<1,A>ピークは初期水素被覆率θ^0_Dが変化してもそのピーク温度は変わらず,一次脱離反応の特徴を示した.一方,β_<1,β>ピークはθ^0_Dの減少に伴って高温側にシフトすることから,二次脱離反応の特徴を示した.等温脱離法を用いてそれらの脱離バリヤーを評価したところ,β_<1,A>脱離は1.6±0.1eV,β_<1,B>脱離は1.8±0.1eVという結果を得た.これらの値は,これまで信じられてきた脱離バリヤー2.5eVよりも約1eV低い値であり,これらの脱離メカニズムをinter-dimer機構を基に考察した. |
| 抄録(英) | We have investigated desorption kinetics of deutrium from a Si(100) surface using temperature-programmed desorption (TPD) and isothermal desorption methods. From semi-logarithmic plots of TPD spectra, it is found that three desorption components, denoted as β_<1,A>, β_<1,B>, and C, can be distinguished. The maximum of the β_<1,A> peak is nearly constant at around the maximum temperature of the TPD peak. On the orther hand, the β_<1,B> peak systematically shifts to higher temperatures with decreasing θ^0_D. These results imply that first- and second-order kinetics are operating for the β_<1,A> and β_<1,B> desorptions, respectively. From the analysis of isothermal desorption curves, the desorption barriers for the β_<1,A> and β_<1,B> desorptions are evaluated to be 1.6±0.1eV and 1.8±0.1eV, respectively. These values are substantially lower than the widely accepted value of 2.5eV. The desorption mechanisms for the β_<1,A>, β_<1,B> and C channels are discussed based on an inter-dieter model. |
| キーワード(和) | 水素 / Si(100)表面 / 昇温脱離法 / 等温脱離法 / 脱離バリヤー |
| キーワード(英) | Hydrogen / Si(100) surface / Temperature-programmed desorption / Isothermal desorption / Desorption barrier |
| 資料番号 | CPM2009-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2009/8/3(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Hydrogen Desorption Barrier from Si(100) Surface using Temperature-Programmed Desorption and Isothermal Desorption |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(2)（和/英） | Si(100)表面 / Si(100) surface |
| キーワード(3)（和/英） | 昇温脱離法 / Temperature-programmed desorption |
| キーワード(4)（和/英） | 等温脱離法 / Isothermal desorption |
| キーワード(5)（和/英） | 脱離バリヤー / Desorption barrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山形大学工学部 Department of Electrical Engineering, Yamagata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安冨 伍郎 / Goro YASUTOMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学工学部 Department of Electrical Engineering, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 右ノ子 知恵 / Chie UNOKO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学工学部 Department of Electrical Engineering, Kyushu Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 稲永 征司 / Shoji INANAGA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州工業大学工学部 Department of Electrical Engineering, Kyushu Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 並木 章 / Akira NAMIKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州工業大学工学部 Department of Electrical Engineering, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2009-08-10 |
| 資料番号 | CPM2009-34 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 171 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |