| 講演名 | 2009-07-02 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般) 濱畑 孝, 秋濃(小池) 俊昭, 秋濃 俊郎, 江藤 剛治, |
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| 抄録(和) | 本論文は,ドレイン側に長いLDDと厚いゲート酸化膜を有する高耐圧MOSFET構造を持ったX-FABの0.6μm SOI-CMOSプロセスに基づき,チャネル長(即ち,MOSFETに内存する寄生横型BJTのベース幅)を2種類変えたMOSFETを設計し,それらのMOSFETとBJTの両者の電流特性を評価した結果を述べる.まず,(1)MOSFET動作がオンで横型BJTの動作がアクティブでない場合,次に,(2)横型BJT動作がアクティブでMOSFET動作がオフの場合,最後に,(3)最も重要な両者の動作がオンとアクティブの併合動作の場合,それぞれ三つの状態でのドレイン(コレクタ)電流-ドレイン(コレクタ)電圧を実測した.チャネル長毎の併合動作時の電流能力データを,他の二つの動作のそれに比較して,解析する. |
| 抄録(英) | This paper describes that, being based on 0.6μm SOI-CMOS process of X-FAB having an MOSFET structure with a high breakdown voltage using a long asymmetric LDD structure and thick gate oxide at the drain side, we design two kinds of the MOSFET channel lengths (i.e. the base widths of the parasitic lateral BJT which is inherent to the MOSFETs) and evaluate both current characteristics for the MOSFETs and the lateral BJTs. We measure the drain (collector)-source (emitter) currents for the fabricated MOSFETs as the following three cases: (1) the behavior of making the MOSFETs "on" while letting the lateral BJTs "inactive," (2) the behavior of making the lateral BJTs "active" while letting the MOSFETs "off," and (3) the most significant joint behavior of making the MOSFET "on" and the lateral BJT "active." Moreover, we analyze the above measured current data of the joint behavior compared to those of other two behaviors. |
| キーワード(和) | MOSFET / BJT / LDD / SOI |
| キーワード(英) | MOSFET / BJT / LDD / SOI |
| 資料番号 | CAS2009-19,VLD2009-24,SIP2009-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SIP |
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| 開催期間 | 2009/6/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Signal Processing (SIP) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measured Data Evaluations for Both Behaviors of MOSFET and Lateral BJT Based on High Breakdown Voltage SOI-CMOS Process using Asymmetric LDD Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | BJT / BJT |
| キーワード(3)（和/英） | LDD / LDD |
| キーワード(4)（和/英） | SOI / SOI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 濱畑 孝 / Takashi HAMAHATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 近畿大学生物理工学部 School of Biology-Oriented Science and Technology, Kinki University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 秋濃(小池) 俊昭 / Toshiaki KOIKE-AKINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ハーバード大学工学応用科学部 School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 秋濃 俊郎 / Toshiro AKINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 近畿大学生物理工学部 School of Biology-Oriented Science and Technology, Kinki University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江藤 剛治 / T. Goji ETOH |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 近畿大学理工学部 School of Science and Engineering, Kinki University |
| 発表年月日 | 2009-07-02 |
| 資料番号 | CAS2009-19,VLD2009-24,SIP2009-36 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 112 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |