| 講演名 | 2009-06-19 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) 田中 有, 高田 幹, 石田 充, 前多 泰成, 松本 武, 江川 満, 宋 海智, 山口 正臣, 中田 義昭, 西 研一, 山本 剛之, 菅原 充, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.伝送距離延長に向けた単一モード化のために活性層直上に回折格子を形成したDFBレーザを開発した.従来に比べて大きい結合係数の確保により,安定な単一モード発振を得ることに成功し,15℃から70℃までの温度安定10.3Gb/s変調特性を実現した.また新たに分子線エピタキシー法を用いた高密度量子ドットの成長に成功した.作製した量子ドットの密度は5.9×10^<10>cm^<-2>と従来ドット密度の2倍であり,世界最高レベルの正味最大モード利得を確認した.この高密度量子ドットを活性層に用いてFPレーザを作製し,100℃までの温度無依存10.3Gb/s変調特性と,世界で初めて室温での20Gb/s高速変調を実現した. |
| 抄録(英) | We report on a recent progress in 1.3μm InAs/GaAs quantum dot laser developments. To achieve single-mode lasing for longer transmission distance, distributed feedback lasers have been developed.Sufficiently large coupling coefficient allows for stable single-mode lasing. Temperature stable 10.3Gb/s modulation characteristics between 15℃ and 70℃ are realized. On the other hand, we have newly developed 5-lalyer-stacked high-density quantum dot with a density of 5.9×10^<10>cm^<-2> yielding a high net modal gain. The fabricated FP lasers show temperature-insensitive 10.3Gb/s modulation and higher modulations up to 20Gb/s, which is the first demonstration in 1.3-μm quantum dot lasers, to the best of our knowledge. |
| キーワード(和) | 高密度量子ドット / 量子ドットレーザ / DFBレーザ / 温度安定性 / 高速変調 |
| キーワード(英) | High-Density Quantum Dot / Quantum Dot Laser / DFB Laser / Temperature Stability / High Speed Modulation |
| 資料番号 | OPE2009-29,LQE2009-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/6/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.3μm InAs/GaAs quantum dot lasers : Toward single mode lasing and high speed modulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高密度量子ドット / High-Density Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドットレーザ / Quantum Dot Laser |
| キーワード(3)（和/英） | DFBレーザ / DFB Laser |
| キーワード(4)（和/英） | 温度安定性 / Temperature Stability |
| キーワード(5)（和/英） | 高速変調 / High Speed Modulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 有 / Yu TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(株)QDレーザ:(財)光産業技術振興協会 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:QD Laser Inc.:OITDA |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高田 幹 / Kan TAKADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 NanoQUINE |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石田 充 / Mitsuru ISHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 NanoQUINE |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 前多 泰成 / Yasunari MAEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松本 武 / Takeshi MATSUMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江川 満 / Mitsuru EKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宋 海智 / Hai-Zhi SONG |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山口 正臣 / Masaomi YAMAGUCHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser Inc. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 中田 義昭 / Yoshiaki NAKATA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:(株)QDレーザ Fujitsu Laboratories Ltd.:QD Laser Inc. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 西 研一 / Kenichi NISHI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser Inc. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:OITDA |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 菅原 充 / Mitsuru SUGAWARA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(株)QDレーザ:(財)光産業技術振興協会 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:QD Laser Inc.:OITDA |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所 NanoQUINE:IIS:RCAST, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2009-06-19 |
| 資料番号 | OPE2009-29,LQE2009-32 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 93 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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