| 講演名 | 2009-06-19 BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) 八木 英樹, 大西 裕, 辻 幸洋, 市川 弘之, 吉永 弘幸, 野間口 俊夫, 平塚 健二, 上坂 勝己, |
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| 抄録(和) | 10Gbit/sを超える高速直接変調を目的として、BCB(ベンゾシクロブテン)埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP分布帰還(DFB)レーザを作製した。作製したレーザにおいて、20GHz以上の良好な回路帯域が得られ、BCB埋め込み構造による低容量化の効果を確認した。動作温度25℃では消光比6dB、26Gbit/s直接変調において、光出力波形の明瞭なアイ開口を観測し、さらに、消光比5dB、14Gbit/s直接変調では温度85℃までの無温調動作を達成した。以上の結果から、BCBを用いた平坦化プロセスによるリッジ導波路型レーザが、10Gbit/s超の高速直接変調をターゲットとした光源として、有望であることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | 1.3μm AlGaInAs/InP distributed feedback (DFB) lasers with the ridge-waveguide structure buried by the benzocyclobutene (BCB) polymer were fabricated. The laser showed the wide electrical bandwidth of more than 20GHz owing to the low parasitic capacitance. A clear eye-opening was observed with the extinction ratio of 6dB in 26Gbit/s direct modulation at measurement temperature of 25℃. Furthermore, uncooled 14Gbit/s direct modulation with the extinction ratio of 5dB was also achieved up to the measurement temperature of 85℃. These results indicate that this device is very promising for the realization of transmitters with high-speed direct modulation of more than 10Gbitis. |
| キーワード(和) | BCB平坦化プロセス / AlGaInAs/InP / リッジ導波路構造 / DFBレーザ |
| キーワード(英) | BCB planarization process / AlGaInAs/InP / Ridge-waveguide structure / DFB laser |
| 資料番号 | OPE2009-27,LQE2009-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/6/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.3μm AlGaInAs/InP DFB Lasers with Ridge-Waveguide Structure Buried by Benzocyclobutene Polymer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BCB平坦化プロセス / BCB planarization process |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaInAs/InP / AlGaInAs/InP |
| キーワード(3)（和/英） | リッジ導波路構造 / Ridge-waveguide structure |
| キーワード(4)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 八木 英樹 / Hideki YAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大西 裕 / Yutaka ONISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 辻 幸洋 / Yukihiro TSUJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 市川 弘之 / Hiroyuki ICHIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉永 弘幸 / Hiroyuki YOSHINAGA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 野間口 俊夫 / Toshio NOMAGUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 平塚 健二 / Kenji HIRATSUKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上坂 勝己 / Katsumi UESAKA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD. |
| 発表年月日 | 2009-06-19 |
| 資料番号 | OPE2009-27,LQE2009-30 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 93 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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