| 講演名 | 2009-06-19 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25～100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) 小林 亘, 荒井 昌和, 山中 孝之, 藤原 直樹, 藤澤 剛, 都築 健, 田所 貴志, 狩野 文良, |
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| 抄録(和) | 低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的として、LD部とEA変調器部の活性層に温度耐性に優れたInGaAlAs系多重量子井戸を適用し、モノリシック集積した。作製した素子を用いて、-25℃～100℃の全温度領域において、動的消光比9dB以上、80kmシングルモードファイバ伝送後の受信感度劣化2dB以下を実現した。 |
| 抄録(英) | An extended operating temperature range of 125℃ (-25 to 100℃), was demonstrated at 10-Gb/s for a 1.55-μm InGaAlAs uncooled EA modulator integrated DFB laser. An 80-km SMF transmission with a power penalty of below 2dB and a dynamic extinction ratio of over 9dB was achieved at all operating temperature. |
| キーワード(和) | 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / アンクールド / InGaAlAs |
| キーワード(英) | Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser / Uncooled / InGaAlAs |
| 資料番号 | OPE2009-25,LQE2009-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/6/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25～100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wide Temperature Range (-25 to 100℃) Operation of a 10-Gb/s, 1.55-μm Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser for 80-km SMF Transmission |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser |
| キーワード(2)（和/英） | アンクールド / Uncooled |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAlAs / InGaAlAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 亘 / Wataru KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒井 昌和 / Masakazu ARAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 孝之 / Takayuki YAMANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤原 直樹 / Naoki FUJIWARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤澤 剛 / Takeshi FUJISAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 都築 健 / Ken TSUZUKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田所 貴志 / Takashi TADOKORO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 狩野 文良 / Fumiyoshi KANO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2009-06-19 |
| 資料番号 | OPE2009-25,LQE2009-28 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 93 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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