| 講演名 | 2009-06-19 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) 井芹 有志, 荒川 太郎, 多田 邦雄, 羽路 伸夫, |
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| 抄録(和) | InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(Five-Layer Asymmeric Coupled Quantum Well)の作製トレランスに関して,量子井戸のヘテロ界面の急峻性劣化がFACQWの電界誘起屈折率変化特性に与える影響について理論的な検討を行った.ヘテロ界面の急峻性劣化について解析する手法として,ヘテロ界面における組成分布の形状を指数関数と仮定し,その組成勾配の遷移幅を増加させていったときの特性の変化について解析を行った.遷移幅が増大するとともにFACQWの屈折率変化特性が劣化していくことが見出されたが,遷移幅が2ML程度までであればFACQWの特性は十分な特性を保つことができることも見出された.さらに,FACQWの特性の劣化が顕著になる遷移幅3MLを仮定した場合において,FACQW構造を再設計することにより,その特性改善できることがわかった. |
| 抄録(英) | For evaluating fabrication tolerance of an InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well (FACQW), influence of abruptness of heterointerfaces in the FACQW on its electrorefractive effect was theoretically studied. In the analysis, it is assumed that composition profile in a heterointerface is exponential, and a thickness of a transition layer L is defined. We investigated the change in electrorefractive index of the FACQW with various L. With the increase of L, electrorefractive index change remarkably decreases especially in the case of L≥3ML. In addition, we propose an improved FACQW structure which is expected to exhibit large electrorefractive index even in the case of L=3ML. |
| キーワード(和) | 量子井戸 / 五層非対称結合量子井戸 / InGaAs / ヘテロ界面 / 電界誘起屈折率変化 |
| キーワード(英) | Quantum Well / Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well / InGaAs / Heterointerface Abruptness / Electrorefractive effect |
| 資料番号 | OPE2009-16,LQE2009-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/6/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Study on Fabrication Tolerance of Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸 / Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | 五層非対称結合量子井戸 / Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ界面 / Heterointerface Abruptness |
| キーワード(5)（和/英） | 電界誘起屈折率変化 / Electrorefractive effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井芹 有志 / Yuji ISERI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学大学院工学研究院 Graduate School of Eng., Yokohama National Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒川 太郎 / Taro ARAKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学大学院工学研究院 Graduate School of Eng., Yokohama National Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 多田 邦雄 / Kunio TADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Eng., Kanazawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 羽路 伸夫 / Nobuo HANEJI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学大学院工学研究院 Graduate School of Eng., Yokohama National Univ. |
| 発表年月日 | 2009-06-19 |
| 資料番号 | OPE2009-16,LQE2009-19 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 93 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |