講演名 2009-06-19
ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 : 接触抵抗について(その6)(材料デバイスサマーミーティング)
和田 真一, 園田 健人, 越田 圭治, 菊地 光男, 久保田 洋彰, 澤 孝一郎,
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抄録(和) 著者らは,鉛直方向のハンマリング加振機構及び摺動接触機構によって電気接点における微小振動が接触抵抗に与える影響を検討した.ハンマリング加振機構において,加振加速度を150G及び400Gとした.さらに,ピン間の摺動力を0.3Nおよび2.0Nとした.150G&2.0Nで約4200万回の実験を行い抵抗値が約200Ωとなった.150G&0.3Nで約4400万回の実験を行い抵抗値が600-1000Ωとなった.400G&2.0Nで約2200万回の実験を行い抵抗値が約200Ωとなっている.摺動接触機構において,摺動力2.0N及び0.3Nの条件でそれぞれ約2400万回及び2600万回の実験を行い,抵抗値がそれぞれ50-400Ω,200-600Ωとなった.150G&2.0Nの場合が操作回数最多で摺動距離最小であると指摘できた.接触抵抗値変動に対してFretting Corrosionモデル・Sliding Contactモデルを適用し,微小振動が接点に与える影響について考察できる可能性が示唆された.
抄録(英) Authors studied the influence on contact resistance by micro-vibration to electrical contacts using hammering oscillation mechanism and sliding contact mechanism in the vertical direction. It was set that the oscillating acceleration was 150G or 400G and the sliding force between male pins and female ones was 0.3N or 2.0N. The first measurement was carried out in the condition of 150G and 2.0N with 42 millions' operations and the contact resistance was resulted in about 200Ω. The second one was in the condition of 150G and 0.3N with 44 millions' and it was resulted in about 600-1000Ω. The third one is in the condition of 400G and 2.0N with 22 millions' and it is resulted in about 200Ω. The fourth or the fifth measurement were carried out in the condition of 2.0N or 2.0N with 24 millions' or 26 millions' and they were resulted in about 50-400Ω or 200-600Ω in respectively. It was showed that the starting number of fluctuation of the contact resistance was highest and the distance of the relative sliding was lowest in the case of 150G and 2.0N (measurement 1). It was suggested that the fretting corrosion model or sliding contact one would be applied to the fluctuation of contact resistance.
キーワード(和) 電気接点 / 微小振動 / 接触抵抗 / ハンマリング加振機構 / 摺動接触機構 / 加速度 / 接触力 / 摺動力
キーワード(英) electrical contact / micro-oscillation / contact resistance / hammering oscillating mechanism / sliding contact mechanism / acceleration / contact force / sliding force
資料番号 EMD2009-19,CPM2009-31,OME2009-26
発行日

研究会情報
研究会 EMD
開催期間 2009/6/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromechanical Devices (EMD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 : 接触抵抗について(その6)(材料デバイスサマーミーティング)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Degradation phenomenon of electrical contacts by hammering oscillating mechanism : Contact Resistance (VI)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電気接点 / electrical contact
キーワード(2)(和/英) 微小振動 / micro-oscillation
キーワード(3)(和/英) 接触抵抗 / contact resistance
キーワード(4)(和/英) ハンマリング加振機構 / hammering oscillating mechanism
キーワード(5)(和/英) 摺動接触機構 / sliding contact mechanism
キーワード(6)(和/英) 加速度 / acceleration
キーワード(7)(和/英) 接触力 / contact force
キーワード(8)(和/英) 摺動力 / sliding force
第 1 著者 氏名(和/英) 和田 真一 / Shin-ichi WADA
第 1 著者 所属(和/英) TMCシステム(株)
TMC System Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 園田 健人 / Taketo SONODA
第 2 著者 所属(和/英) TMCシステム(株)
TMC System Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 越田 圭治 / Keiji KOSHIDA
第 3 著者 所属(和/英) TMCシステム(株)
TMC System Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 菊地 光男 / Mitsuo KIKUCHI
第 4 著者 所属(和/英) TMCシステム(株)
TMC System Co., Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 久保田 洋彰 / Hiroaki KUBOTA
第 5 著者 所属(和/英) TMCシステム(株)
TMC System Co., Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 澤 孝一郎 / Koichiro SAWA
第 6 著者 所属(和/英) 慶応義塾大学K2キャンパス
Keio University K2 Campus
発表年月日 2009-06-19
資料番号 EMD2009-19,CPM2009-31,OME2009-26
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 89
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日