| 講演名 | 2009-06-19 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価(材料デバイスサマーミーティング) 宮沢 亮, 田口 大, / 間中 孝彰, 岩本 光正, |
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| 抄録(和) | P3HTを半導体層とするMIS構造素子のCMS、C-V特性を測定した。C-V特性から、電極から注入されたホールの蓄積、空乏状態を評価し、CMS特性から注入したホールがポーラロン準位に入ることを示した。また、CMS測定とインピーダンス測定結果から、下部電極から注入されたホールがP3HT/PI絶縁体界面とP3HT内部に蓄積されることを明らかにした。さらに、光照射や電圧印加による閾値シフトを観測し、光照射によって発生した電子や注入されたホールがP3HT/PI絶縁体界面に蓄積されることを確かめた。以上の結果から、P3HT内部のポーラロン準位に加えて、P3HT/PI絶縁体界面に界面トラップ準位が存在していることを示した。 |
| 抄録(英) | We measured CMS spectra and C-V characteristics of P3HT MIS diodes. The CMS spectra and C-V characteristics showed that injected holes from base-Au electrode were accumulated at the semiconductor/insulator interface in P3HT layer. Photo-illumination and d.c biasing caused threshold voltage shift, suggesting the accumulation of excited electrons form P3HT as well as of injected holes form electrodes. Experimental results and analysis show the presence of interfacial states at the P3HT and PI interface as well as polaron states in the P3HT. |
| キーワード(和) | CMS / P3HT / Polyimide / ポーラロン / 閾値 |
| キーワード(英) | CMS / P3HT / Polyimide / Polaron / threshold voltage |
| 資料番号 | EMD2009-18,CPM2009-30,OME2009-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2009/6/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価(材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of injected carrier energetics in organic-field-effect-transistor by charge modulation spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMS / CMS |
| キーワード(2)（和/英） | P3HT / P3HT |
| キーワード(3)（和/英） | Polyimide / Polyimide |
| キーワード(4)（和/英） | ポーラロン / Polaron |
| キーワード(5)（和/英） | 閾値 / threshold voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮沢 亮 / Ryo MIYAZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田口 大 / Dai TAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 間中 孝彰 / Martin WEIS |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩本 光正 / Takaaki MANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2009-06-19 |
| 資料番号 | EMD2009-18,CPM2009-30,OME2009-25 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 90 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |