| 講演名 | 2009/3/2 シリコンCMOSチップ背面の厚い絶縁体層上ミリ波ダイポールアンテナ 広川 二郎, 君島 健太, 安藤 真, 平地 康剛, |
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| 抄録(和) | 60GHzシリコンCMOSチップのRF回路層の反対面上に厚い絶縁体層を設けダイポールアンテナを穴を介して集積化する構造を提案する。厚い絶縁体層は放射効率を向上させる。アンテナとRF回路の接続損の低減が期待できる。5mm四方のシリコンチップ上に厚さ200μmの絶縁体層に設けたダイポールアンテナの利得の計算値は5.4dBiである。実験において反射が-6dBあるにもかかわらず利得3.1dBiが得られた。レーザの穴あけによる穴やポストの側面の粗さ,厚さ2μmの薄い銅の形成,測定における接続損が利得低下をもたらしていると思われる。 |
| 抄録(英) | This paper proposes a dipole antenna integrated on a thick resin layer on the opposite side of a RF circuit layer though a hole in a silicon CMOS chip at 60GHz. The thick resin layer can enhance the radiation efficiency. The connection loss between the antenna and the RF circuit is expected to be small. The simulated gain of a dipole on a resin layer of 200μm thickness over a 5mm square silicon chip is 5.4dBi. The measured gain of 3.1dBi is achieved even though the reflection is -6dB. The roughness of the sidewalls of the hole and posts by laser opening, the spread of thin copper with 2mm thickness and the connection loss in the measurement could degrade the gain. |
| キーワード(和) | ミリ波 / シリコンチップ / ダイポール / 厚絶縁体層 / 放射効率 |
| キーワード(英) | Millimeter wave / Silicon chip / Dipole / Thick resin layer / Radiation efficiency |
| 資料番号 | A・P2008-217 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | AP |
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| 開催期間 | 2009/3/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Antennas and Propagation (A・P) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | シリコンCMOSチップ背面の厚い絶縁体層上ミリ波ダイポールアンテナ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Millimeter-Wave Dipole Antenna on a Thick Resin Layer on the Back Side of a Silicon CMOS Chip |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / Millimeter wave |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンチップ / Silicon chip |
| キーワード(3)（和/英） | ダイポール / Dipole |
| キーワード(4)（和/英） | 厚絶縁体層 / Thick resin layer |
| キーワード(5)（和/英） | 放射効率 / Radiation efficiency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 広川 二郎 / Jiro HIROKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻 Dept. of Electrical & Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 君島 健太 / Kenta KIMISHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻 Dept. of Electrical & Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 真 / Makoto ANDO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻 Dept. of Electrical & Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平地 康剛 / Yasutake HIRACHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)アムシス Ammsys Inc. |
| 発表年月日 | 2009/3/2 |
| 資料番号 | A・P2008-217 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 475 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |