| 講演名 | 2009-03-13 Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発(放送/一般) 望月 亮, 福島 竜也, 岩渕 浩昭, 山田 良男, 加藤 孝男, |
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| 抄録(和) | Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅部に用いた、固体化電力増幅器(SSPA)を開発したので報告する。GaN FETは、増幅特性が非線形領域となる範囲が広く、3次相互変調積(IM3)の改善が欠かせないが、本装置では、バイアス条件の最適化によって、14.0～14.5GHzの広帯域における送信出力50dBm(100W)のIM3が-25dBc以下となる性能を、-10～45℃の周囲温度環境で達成している。また、多段のFETをカスケード接続したことによって生ずる温度利得変動を、補償する機能を具備している。 |
| 抄録(英) | In this paper, we present a solid state power amplifier (SSPA) for Ku-band applications. This is the first report of SSPA using with gallium nitride (GaN) field effect transistors (FETs), which output power exceeds 50W as world commercial record for Ku-band. We apply a linearization technique to GaN FETs' power amplifiers for the purpose of improving a linearity of RF module. The intermodulation distortion is under -25dBc with 50dBm output power at -10C to +45C. The SSPA controls RF gain stability with a temperature compensator for FETs which connected with 12 steps straightly. |
| キーワード(和) | SNG / 固体化電力増幅器 / 窒化ガリウム / 高電子移動度トランジスタ / Ku帯 / 相互変調積 / 温度補償 |
| キーワード(英) | SNG / SSPA / Gallium Nitride / GaN HEMT / Ku-band / Intermodulation Distortion / Temperature compensator |
| 資料番号 | EMCJ2008-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
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| 開催期間 | 2009/3/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromagnetic Compatibility (EMCJ) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発(放送/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Solid State Power Amplifier with GaN FET for Ku-band |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SNG / SNG |
| キーワード(2)（和/英） | 固体化電力増幅器 / SSPA |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(4)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | Ku帯 / Ku-band |
| キーワード(6)（和/英） | 相互変調積 / Intermodulation Distortion |
| キーワード(7)（和/英） | 温度補償 / Temperature compensator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 望月 亮 / Ryo Mochizuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福島 竜也 / Tatsuya Fukushima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩渕 浩昭 / Hiroaki Iwabuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 良男 / Yoshio Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 加藤 孝男 / Takao Kato |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2009-03-13 |
| 資料番号 | EMCJ2008-121 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 482 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |