| 講演名 | 2009-03-06 InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般) 石原 純, 中田 武志, 笠原 健一, 牧田 紀久夫, |
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| 抄録(和) | 数Gbps光通信用アバランシェフォトダイオードの過剰雑音とイオン化率比を測定した。これらの値を高い精度で測定するために差動増幅器を用い、さらに増倍率が1となる光電流を正確に求めた。これによって低い増倍領域も含めての過剰雑音の測定が可能となった。過剰雑音は光入射強度の影響を受け、高入力光時には減少する傾向が見られた。また増倍層厚が0.7μmでイオン化率比k=0.17(M=10)、0.2μmでイオン化率比k=0.18(M=10)が得られた。 |
| 抄録(英) | The excess noise and ionization coefficient ratio of InAlAs avalanche photodiodes (APDs) for Gbps optical fiber communication have been measured. To obtain these values accurately, we used a differential amplifier, and determined the optical current at which the avalanche multiplication = 1. These made possible the excess noise measurement including the low multiplication region. Excess noise was slightly dependent on the optical input intensity, decreasing at high incident optical intensities. Measured ionization coefficient ratio at M=10 was 0.18 and 0.17 with multiplication layer width 0.2 and 0.7μm respectively. |
| キーワード(和) | アバランシェフォトダイオード / 過剰雑音 / イオン化率比 / 入射光強度依存性 / 増倍層厚依存性 |
| キーワード(英) | Avalanche Photodiode / Excess noise / Ionization coefficient ratio / Incident light power dependence / Multiplication layer width dependence |
| 資料番号 | OFT2008-95,OPE2008-195 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OFT |
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| 開催期間 | 2009/2/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Fiber Technology (OFT) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly accurate measurement of the InAlAs-APD excess noise |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アバランシェフォトダイオード / Avalanche Photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 過剰雑音 / Excess noise |
| キーワード(3)（和/英） | イオン化率比 / Ionization coefficient ratio |
| キーワード(4)（和/英） | 入射光強度依存性 / Incident light power dependence |
| キーワード(5)（和/英） | 増倍層厚依存性 / Multiplication layer width dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石原 純 / Jun Ishihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中田 武志 / Takeshi Nakata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Lab., NEC |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 笠原 健一 / Kenichi Kasahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧田 紀久夫 / Kikuo Makita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECナノエレクトロニクス研究所 Nano Electronics Lab., NEC |
| 発表年月日 | 2009-03-06 |
| 資料番号 | OFT2008-95,OPE2008-195 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 450 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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