| 講演名 | 2009-05-15 GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 原田 脩央, 塩崎 奈々子, 橋詰 保, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaN系デバイスの表面・端面制御を目的として、電気化学プロセスによる表面酸化を行ないその特性を評価した。GaN表面の電気化学酸化膜は、Ga_2O_3を主成分とするアモーファス膜であることが明らかになった。この膜はアルカリ性溶液でエッチングできる。ICPドライエッチングで表面近傍に導入された欠陥準位が、電気化学酸化+エッチング処理により回復することが判明し、本手法によりドライエッチング後の表面損傷層を除去できる可能性が示された。次に、酸化膜形成によりGaN表面からのPL強度が増大することが分かった。そこで、酸化膜を形成したn-GaNにMOS構造を作製し、容量法により界面準位密度分布を求めた。ターマン法により見積もった界面準位密度分布は比較的平坦であり、かつ、最小密度5x10^<11>cm^<-2>eV^<-1>という低い値を示し、酸化膜形成によりGaN表面の表面準位が効果的に低減されることが示された。 |
| 抄録(英) | The electrochemical oxidation process using a glycol solution has been applied to p- and n-GaN surfaces. An X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed the formation of amorphous Ga_2O_3 on the GaN surface. The oxide layer is easily etched in alkali solutions. The decrease in electron density was observed at the n-GaN surface subjected to the inductively coupled plasma (ICP). When we applied the oxidation and the etching process to the ICP-processed surface, the electron density profile was recovered to that of the as-grown surface. The oxidation of the GaN surface also exhibited an enhancement of the photoluminescence intensity. In addition, the C-V analysis using a MOS structure indicated that the present electrochemical oxidation process can produce a native oxide/GaN interface with a relatively lower interface state density. |
| キーワード(和) | GaN / 電気化学酸化 / 欠陥回復 / 表面準位 / 表面制御 |
| キーワード(英) | GaN / electrochemical oxidation / defect recovery / surface state / surface control |
| 資料番号 | ED2009-35,CPM2009-25,SDM2009-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrochemical oxidation of GaN for surface control structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学酸化 / electrochemical oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 欠陥回復 / defect recovery |
| キーワード(4)（和/英） | 表面準位 / surface state |
| キーワード(5)（和/英） | 表面制御 / surface control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原田 脩央 / Naohisa Harada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 塩崎 奈々子 / Nanako Shiozaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / T. Hashizume |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-35,CPM2009-25,SDM2009-25 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |