| 講演名 | 2009/5/7 AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 田島 正文, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | デュアルゲート構造を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造上のAlGaN表面を流れる電流と表面状態の関係について評価を行った。ゲート、オーミック電極間にバイアスストレスを印加することで、表面リーク電流が増大することを確認した。表面リーク電流の輸送機構はその温度依存性から、表面準位を介した二次元可変領域ホッピング(2D-VRH)が支配的であると考えられ、バイアスストレスによってゲート端からAlGaN表面への横方向の電子が注入されることで表面準位密度が増大した可能性が考えられる。またAlGaN/GaN HEMTのゲート、ドレイン間のAlGaN表面をO_2プラズマに曝すことで故意に酸化したところ、ドレイン電流減少及び電流コラプス効果の増大が確認された。以上から電極間のAlGaN表面がデバイス特性に大きく影響を与えることがわかった。 |
| 抄録(英) | We investigated interaction between surface leakage current of AlGaN/GaN heterostructure and surface state by using a dual gate structure. Bias stress of gate and ohmic contacts increased surface leakage current of the dual gate structure. Because of temperature dependence of suface leakage current, the conduction mechanizm of suface leakage current on AlGaN suface may be dominated by two-dimensional variable-range hopping. The electron injection from gate edge to AlGaN surface by bias stress may increase density of surface states on AlGaN surface. Then, we investigated effects of formation of thin oxide layer on the operation stability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). The O_2 plasma oxidation of the AlGaN surface caused significant reduction of drain current. The current collapse was clearly observed in this device. For these reasons, it is thought that AlGaN surface between electrodes is deeply related to characteristics of AlGaN/GaN HEMTs. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / HEMT / 表面リーク電流 / 表面準位 / 表面酸化 / 動作安定性 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / HEMT / suface leakage current / surface states / surface oxidation / operation stability |
| 資料番号 | ED2009-34,CPM2009-23,SDM2009-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Operation stability assessment of AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 表面リーク電流 / suface leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | 表面準位 / surface states |
| キーワード(6)（和/英） | 表面酸化 / surface oxidation |
| キーワード(7)（和/英） | 動作安定性 / operation stability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田島 正文 / M. Tajima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / T. Hashizume |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2009/5/7 |
| 資料番号 | ED2009-34,CPM2009-23,SDM2009-23 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |