| 講演名 | 2009-05-15 AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 武富 浩幸, 三宅 秀人, 平松 和政, 福世 文嗣, 岡田 知幸, 高岡 秀嗣, 吉田 治正, |
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| 抄録(和) | 発光素子,受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化,発光効率の向上が求められている.本研究では,反射光を用いたその場観察を行いながら減圧MOVPE法により,サファイア上のAlNエピタキシャル膜を下地結晶としてAlGaNの成長を行った.得られたAlGaNの(0002)回折,(10-12)回折のXRC-FWHMは231,489arcsecであり,高い結晶性を有していることが分かった.また電子線励起による光学特性評価では強い深紫外発光を観測した. |
| 抄録(英) | A high-quality AlGaN with high Al mole fraction is required for improvement of device performance such as light-emitting and light-detecting devices in short-wavelength region. In this study, we performed growth of AlGaN on epitaxial AlN (1μm)/sapphire (0001) as an underlying layer by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy with in-situ monitoring system. Typical full-widths at half-maximum (FWHMs) of x-ray rocking curves (XRC) for the (0002) and (10-12) diffractions of the AlGaN were 231 and 489 arcsec, respectively. We observed high-intensity chthodoluminescence in deep-vltraviolet wavelength region from the AlGaN of high crystaline quality. |
| キーワード(和) | AlN / AlGaN / CL / LP-MOVPE |
| キーワード(英) | AlN / AlGaN / CL / LP-MOVPE |
| 資料番号 | ED2009-32,CPM2009-22,SDM2009-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth and deep-ultraviolet chathodoluminescence of AlGaN on AlN/sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | CL / CL |
| キーワード(4)（和/英） | LP-MOVPE / LP-MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武富 浩幸 / Hiroyuki TAKETOMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福世 文嗣 / Fumitsugu FUKUYO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡田 知幸 / Tomoyuki OKADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高岡 秀嗣 / Hidetsugu TAKAOKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 吉田 治正 / Harumasa YOSHIDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-32,CPM2009-22,SDM2009-22 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |