| 講演名 | 2009-05-15 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 浦上 法之, 野間 亮佑, 梅野 和行, 光吉 三郎, 岡田 浩, 古川 雄三, 若原 昭浩, |
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| 抄録(和) | Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、In_xGa_<1-x>As_<1-y>N_y/GaPN量子ドット(QD)の伝導帯バンドオフセットの検討ならびに成長機構の検討を行った。N無添加で伝導帯バンドオフセットが最も得られるInAs/GaP QDのMBE成長では、格子不整合が11.1%と非常に大きいため、ミスフィット転位が導入された。そこで、格子不整合を低減するために、In_<0.5>Ga_<0.5>AsN/GaP QDを検討した。この時、活性層を障壁層で埋め込む際のAs/P交換におけるAs/P置換反応を抑制するために、シャッターシーケンスの最適化を行った。これらの検討から、InGaAsN/GaPN QDの5層まで多層化に成功した。この試料の室温PLが観測され、Si基板上のQD活性層応用への可能性が示された。 |
| 抄録(英) | In order to realize dislocation-free quantum dot (QD) laser diodes on Si, we calculated the conduction band offsets of InGaAsN/GaPN quantum structures as the active layer and investigated the characterization of the InGaAsN/GaPN QDs grown by molecular beam epitaxy (MBE). We successfully grew multiple stacked In_<0.5>Ga_<0.5>AsN/GaPN QDs up to 5QD layers without any structural defect formation by the suppression of the As/P exchange reaction for the multiple stacked InGaAsN/GaPN QDs. Room-temperature photoluminescence emission was observed for the multiple stacked InGaAsN/GaPN QDs. Therefore, the InGaAsN/GaPN QDs are extremely suitable as the active layer. |
| キーワード(和) | Si / 光電子集積回路 / InGaAsN / GaInNAs / 自己形成量子ドット / III-V-N混晶 |
| キーワード(英) | Si / OEIC / InGaAsN / GaInNAs / self-assembled quantum dots / dilute nitride |
| 資料番号 | ED2009-31,CPM2009-21,SDM2009-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and luminescence characterization of self-assembled InGaAsN/GaPN quantum dots |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAsN / InGaAsN |
| キーワード(4)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(5)（和/英） | 自己形成量子ドット / self-assembled quantum dots |
| キーワード(6)（和/英） | III-V-N混晶 / dilute nitride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浦上 法之 / Noriyuki URAKAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野間 亮佑 / Ryosuke NOMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梅野 和行 / Kazuyuki UMENO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 光吉 三郎 / Saburo MITSUYOSHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo FURUKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-31,CPM2009-21,SDM2009-21 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |