| 講演名 | 2009-05-15 p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 光吉 三郎, 梅野 和行, 浦上 法之, 岡田 浩, 古川 雄三, 若原 昭浩, |
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| 抄録(和) | 分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×10^<17>cm^<-3>以上において、正孔濃度が増加するにつれて、p-GaPNのバンド端近傍の発光強度およびバンド端近傍における実効減衰寿命は減少した。これらの結果は、正孔濃度に対応するMg濃度の増加により、非発光再結合中心が増加することを示すと考えられる。格子整合系Si上レーザの実現に向けた、変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸に適用するMg添加p-GaPNの適切な正孔濃度は、1×10^<17>cm^<-3>以下であることを実現的に示した。 |
| 抄録(英) | We investigated the luminescence properties of Mg-doped p-GaPN alloys grown by molecular beam eitaxy (MBE). The near band edge emission intensity and the effective decay lifetime decrease with increasing the hole concentration of above 1×10^<17>cm^<-3>. These results indicate non-radiative recombination centers increase with increasing the Mg concentration corresponding to the hole concentration. It was shown that the appropriate hole concentration of the Mg-doped p-GaPN barrier layer which applied to modulation doped highly-strained GaAsN/GaPN quantum wells is less than 1×10^<17>cm^<-3>. |
| キーワード(和) | Si / 光電子融合システム / III-V-N / GaPN / GaAsN / GaNAs / 変調ドープ / 高歪量子井戸 |
| キーワード(英) | Si / OEIC / III-V-N / GaPN / GaAsN / GaNAs / modulation doped / highly-strained quantum well |
| 資料番号 | ED2009-30,CPM2009-20,SDM2009-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence dynamics of p-GaPN alloys and application for modulation doped highly-strained GaAsN/GaPN quantum wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 光電子融合システム / OEIC |
| キーワード(3)（和/英） | III-V-N / III-V-N |
| キーワード(4)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsN / GaAsN |
| キーワード(6)（和/英） | GaNAs / GaNAs |
| キーワード(7)（和/英） | 変調ドープ / modulation doped |
| キーワード(8)（和/英） | 高歪量子井戸 / highly-strained quantum well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 光吉 三郎 / Saburo MITSUYOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梅野 和行 / Kazuyuki UMENO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浦上 法之 / Noriyuki URAKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo FURUKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-30,CPM2009-20,SDM2009-20 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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