| 講演名 | 2009-05-15 MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 高木 達也, 岡本 拓也, 福家 俊郎, 高野 泰, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなかったが、高いPH_3流量を持った830℃で鏡面が得られた。またクロスハッチパターン(CHP)は830℃での膜厚200nmの成長によって得られた。CHPはGaP層の質が高いことを示す。断面TEMにより5nmと40nm厚さのGaP層に積層欠陥と転位が存在しないことを明らかにした。 |
| 抄録(英) | GaP was grown on misoriented Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). At 700 and 800℃, no mirror suface was obtained. A mirror suface was achieved at 830℃ with a high PH_3 flow rate. A cross-hatched pattern (CHP) was observed for a 200-nm-thick GaP layer grown at 830℃. The CHP indicates that the quality of the GaP layer was high. Cross-sectional transmission electron microscopy reveals that few stacking faults and dislocations exist in 5-and 40-nm-thick GaP layers on Si substrates. |
| キーワード(和) | MOVPE / ガリウムリン / クロスハッチパターン / 透過型電子顕微鏡 |
| キーワード(英) | MOVPE / GaP / CHP / TEM |
| 資料番号 | ED2009-29,CPM2009-19,SDM2009-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaP on Si Substrates at High Temperature by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | ガリウムリン / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | クロスハッチパターン / CHP |
| キーワード(4)（和/英） | 透過型電子顕微鏡 / TEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 達也 / Tatsuya TAKAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡本 拓也 / Takuya OKAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / Shunro FUKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Yasushi TAKANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-29,CPM2009-19,SDM2009-19 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |