| 講演名 | 2009-05-15 Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Selective epitaxial growth of GaAs layers on SiN_x, masked Si doped semi-insulating GaAs (100) substrates were performed by current controlled liquid phase epitaxy (CCLPE). Te doped GaAs epitaxial layers were grown on circularly patterned GaAs (100) substrates at a cooling rate of 40℃/h with and without applied electric current. Surface morphology of (100) facet of the grown layer, the vertical and lateral growth rates were improved to a great extent under applied electric current. A thick layer of 337μm with a lateral thickness of 268μm was achieved at 6h growth with an applied current density of 20Acm^<-2>. The epitaxial growth was realized by electromigration of the solute and supercooling by a constant rate of furnace cooling. The electromigration of solute atoms enhanced the over all epitaxial growth. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Electromigration / Current controlled liquid phase epitaxy / Selective epitaxy / Semiconducting gallium arsenide |
| 資料番号 | ED2009-28,CPM2009-18,SDM2009-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Electromigration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Mouleeswaran Deivasigamani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-28,CPM2009-18,SDM2009-18 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |