| 講演名 | 2009-05-15 Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 山口 雅史, 白 知鉉, 市橋 弘英, 堀内 功, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | 我々は,光-電子集積回路(OEIC)やMEMSへの応用を考えて分子線エピタキシー(MBE)法とVapor-Liquid-Solid(VLS)法と融合させたMBE-VLS法を用いることでSi基板上への化合物半導体ナノワイヤの成長を試みている.特に(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤの成長では,触媒を用いずにGaAsナノワイヤを成長することに成功した.これは,Ga液滴がSi基板上に形成され,その液滴が触媒の役割を果たしてナノワイヤが成長するものである.また,この成長機構を応用することで,GaAs/AlGaAsコア・シェルナノワイヤ構造を作製することも可能である.一方,ナノワイヤをデバイスに応用することを考えて,(110)Si基板にトレンチ壁を設け,架橋ナノワイヤ構造を作製したり,表面空乏化の影響を軽減するために,(111)Si基板上へのInAsナノワイヤの成長も行っている. |
| 抄録(英) | Compound semiconductor nanowires (NWs) attract attention for the application to opro-electronic integrated circuit (OEIC) or Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) in the next generation. Therefore, we attempted to fabricate compound semiconductor NWs on Si substrate by combination method of molecular beam epitaxy (MBE) and Vapor-Liquid-Solid (VLS). Especially, we succeeded in fabricating the catalyst-free GaAs NWs on (111) Si substrate. This growth mechanism is explained by the fact that the GaAs NWs are grown by VLS mode through Ga droplets, which are formed at the first growth step. Adopting these facts, we attempted to make GaAs/AlGaAs core-shell structure on Si substrate. In anticipation of device application, we have also fabricated the GaAs NW bridge in a trench of a patterned (110) Si substrate and InAs NWs on (111) Si substrate because of planar device and decrease of depletion layer, respectively. |
| キーワード(和) | MBE-VLS / ナノワイヤ / 無触媒 / 化合物半導体 / Si基板 |
| キーワード(英) | MBE-VLS / Nanowire / Catalyst-free / Compound semiconductor / Si substrate |
| 資料番号 | ED2009-27,CPM2009-17,SDM2009-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上化合物半導体ナノワイヤのMBE-VLS成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE-VLS growth of compound semiconductor nanowires on Si sunstrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE-VLS / MBE-VLS |
| キーワード(2)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | 無触媒 / Catalyst-free |
| キーワード(4)（和/英） | 化合物半導体 / Compound semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 白 知鉉 / Ji-Hyun PAEK |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市橋 弘英 / Hirohide ICHIHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 堀内 功 / Isao HORIUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko SAWAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Aichi Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-27,CPM2009-17,SDM2009-17 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |