| 講演名 | 2009-05-15 Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We introduce a growth technique to grow homogeneous In_xGa_<1-x>Sb ternary bulk crystal and a method to measure the composition profiles in the InGaSb solution. In_xGa_<1-x>Sb bulk crystal was grown on a GaSb seed under a constant temperature gradient using a GaSb (seed)/InSb/GaSb (feed) sandwich sample. During growth, heat pulse technique was applied to estimate the growth rate. Homogeneous In_<0,03>Ga_<0.47>Sb crystal was grown by cooling the sample at an optimized value estimated by the temperature gradient and the growth rate. It was also demonstrated that the X-ray penetration method was a good method to measure the composition profiles in the solution. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | InGaSb / Ternary Bulk Crystal / Heat Pulse Technique / X-ray Penetration Method |
| 資料番号 | ED2009-26,CPM2009-16,SDM2009-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / InGaSb |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Govindasamy RAJESH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2009-05-15 |
| 資料番号 | ED2009-26,CPM2009-16,SDM2009-16 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |