| 講演名 | 2009-05-14 マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 廣江 昭彦, 後藤 哲也, 寺本 章伸, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | マグネトロンスパッタを用いて、微結晶Si_<1-x>Ge_x(x～0.8)をSiO_2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を検討した結果、基板温度がSi_<1-x>Ge_xの融点の約半分の温度である300℃で結晶化が始まる事を見出した。これは、スパッタ時に原子の表面マイグレーションが起こる温度と対応している。基板バイアスの効果に関して検討を行ったところ、基板温度350℃では基板バイアスにより結晶性の低下が観測されたが、300℃では結晶性を改善出来る事が確認された。 |
| 抄録(英) | Microcrystalline Si_<1-x>Ge_x (x～0.8) has been successfully deposited over SiO_2 substrates by magnetron sputtering. Detailed investigation about the deposition condition revealed that crystalline phase begins to form at about 300℃, which roughly correspond to half the melting temperature of the material where surface migration of deposited atom starts to take place. Substrate bias effect was also investigated, which showed the degradation of crystallinity for the substrate temperature of 350℃ while improvement of crystallinity was found for 300℃ samples. |
| キーワード(和) | マグネトロンスパッタ / 微結晶SiGe / 薄膜トランジスター |
| キーワード(英) | magnetron sputter / microcrystalline SiGe / thin film transistor |
| 資料番号 | ED2009-25,CPM2009-15,SDM2009-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/5/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | マグネトロンスパッタによるSiO_2基板上への微結晶SiGeの堆積(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO_2 Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マグネトロンスパッタ / magnetron sputter |
| キーワード(2)（和/英） | 微結晶SiGe / microcrystalline SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスター / thin film transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 廣江 昭彦 / Akihiko HIROE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門 Ohmi Lab. New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 後藤 哲也 / Tetsuya GOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門 Ohmi Lab. New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu TERAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門 Ohmi Lab. New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro OHMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門 Ohmi Lab. New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Tohoku University |
| 発表年月日 | 2009-05-14 |
| 資料番号 | ED2009-25,CPM2009-15,SDM2009-15 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |