講演名 2009-05-14
Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
茅野 真也, 堀内 郁志, 以西 雅章,
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抄録(和) 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素検知特性を持つことから、高温用酸素ガスセンサとして注目されている。そこで本研究ではβ-Ga_2O_3薄膜をスパッタリング法で生成し、熱処理による結晶特性への影響と、測定温度の酸素センサ特性への影響について調べた。その結果、作成した薄膜の結晶特性は、熱処理の温度に依存することがわかった。また、測定温度は約1000℃でもっとも安定したセンサ特性が得られた。
抄録(英) Recentry, from a point of environmental problems, oxygen gas sensors attract attention of controlling the exhaust gas. The Ga_2O_3 has an oxygen detection characteristic at more than 900℃, so this material the attracts much attention as an oxygen sensor at high temperature. Therefore β-Ga_2O_3 films have been prepared by a RF magnetron sputtering method. The influence of annealing process on the crystal properties was investigated. The effect of the measureing temperature on the crystal properties was also investigated. It was found that the crystal properties of films depend on the annealing temperature. The stable properties were obtained at about 1000℃.
キーワード(和) 酸化ガリウム / 金属酸化物 / マグネトロンスパッタリング法 / 急速アニール / 酸素センサ
キーワード(英) Gallium oxide / Metal oxides / Magnetron sputtering method / Rapid thermal annealing (RTA) / Oxygen sensor
資料番号 ED2009-21,CPM2009-11,SDM2009-11
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2009/5/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of Ga_2O_3 films and evaluation of oxygen sensing properties
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 酸化ガリウム / Gallium oxide
キーワード(2)(和/英) 金属酸化物 / Metal oxides
キーワード(3)(和/英) マグネトロンスパッタリング法 / Magnetron sputtering method
キーワード(4)(和/英) 急速アニール / Rapid thermal annealing (RTA)
キーワード(5)(和/英) 酸素センサ / Oxygen sensor
第 1 著者 氏名(和/英) 茅野 真也 / Shinya KAYANO
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学工学研究科
Graduate School of Engineering, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 堀内 郁志 / Takashi HORIUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学工学研究科
Graduate School of Engineering, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 以西 雅章 / Masaaki ISAI
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部
Faculty of Engineering, Shizuoka University
発表年月日 2009-05-14
資料番号 ED2009-21,CPM2009-11,SDM2009-11
巻番号(vol) vol.109
号番号(no) 23
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日