| 講演名 | 2009-04-24 プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 過能 慎太郎, 永田 翔, 中川 豪, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とその成長にいたる過程が明確に観察されにくい。また、結晶化した多結晶Si膜にTFTを作製してもキャリヤ移動度が小さな特性となってしまう。本論文では、プラズマCVD膜に金属誘起横方向結晶化(Metal Induced Lataral Crystallization:MILC)を適用すると、超高真空蒸着膜の場合に近い成長特性を示すとともに、キャリヤ移動度も向上することを示す。また、非晶質Si膜を予めパターニングしてMILCを適用しグレインフィルタリングを試みた結果についても述べる。 |
| 抄録(英) | In the case of solid phase crystallization of amorphous Si (a-Si) deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), it is difficult to clearly observe the spontaneous nucleation and growth in contrast to the case of a-Si films deposited by evaporation in ultra-high vacuum. The polycrystalline films thus crystallized from PECVD deposited a-Si films show small carrier mobility when they are applied to TFTs. In this paper, metal induced lateral crystallization (MILC) has been applied to a-Si films prepared by PECVD. It has better carrier mobility and a similar growth characteristic to the film crystallized from a-Si deposited in ultra-high vacuum. Results of an attempt of grain filtering carried out by patterning a-Si films prior to MILC are also described. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / プラズマCVD / 金属誘起横方向結晶化 / MILC |
| キーワード(英) | polycrystalline silicon / thin film transistor / plasma-enhanced chemical vapor deposition / metal induced lateral crystallization / MILC |
| 資料番号 | SDM2009-7,OME2009-7 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2009/4/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Metal Induced Lateral Crystallization of PECVD a-Si and Its Impact on TFT Performance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / polycrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマCVD / plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 金属誘起横方向結晶化 / metal induced lateral crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | MILC / MILC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 過能 慎太郎 / Shintaro KANOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永田 翔 / Sho NAGATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中川 豪 / Gou NAKAGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2009-04-24 |
| 資料番号 | SDM2009-7,OME2009-7 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 20 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |