| 講演名 | 2009-04-24 p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 野口 隆, 宮平 知幸, 鈴木 俊治, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | As a result of excimer laser annealing (ELA) for heavily boron doped Si film, the sheet resistance decreased with improving the crystallinity. Si film of 50nm thickness with extremely low sheet resistance below 50ohm/□ was obtained. Effective electrical activation in the Si film is comparable to the reported result for bulk single-crystalline Si under thermal equilibrium condition. ELA activation is effective to electrodes in CMOS TFTs with pin sensor-diodes and for thin-film solar cell as a new System on Panel (SoP). |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Poly-Si / TFT / sheet resistance / conductivity / activation / ion doping / ELA / TFT / photo-diode sensor / solar cell |
| 資料番号 | SDM2009-6,OME2009-6 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2009/4/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystallization and annealing of heavily doped p-type Si film and electronic properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 隆 / Takashi Noguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 琉球大学工学部 Faculty of Engineering, University of the Ryukyus |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮平 知幸 / Tomoyuki Miyahira |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 琉球大学工学部 Faculty of Engineering, University of the Ryukyus |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊治 / Toshiharu Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | SEN-SHIアクセリスカンパニー SEN (an SHI and Axcelis Company) |
| 発表年月日 | 2009-04-24 |
| 資料番号 | SDM2009-6,OME2009-6 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 20 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |