| 講演名 | 2009-04-24 アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 黒澤 昌志, 川畑 直之, 佐道 泰造, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | 次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には,高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形成する必要がある.そこで本論文では,ガラス上におけるSi_<1-x>Ge_x(0≦x≦1)の低温成長(≦550℃)を目指し,非晶質Si_<1-x>Ge_x(0≦x≦1)薄膜のアルミニウム(Al)誘起層交換成長を検討した.その結果,成長様態はGe濃度に顕著に依存し,低Ge濃度域(<50%)では大粒径(20～100μm)SiGeが均一に成長するが,高Ge濃度域(>50%)においては成長が局所化することが判明した.この現象は,高Ge濃度化に伴うSiGe自然核発生の促進により,SiGe/Al界面に存在する酸化膜を介した原子相互拡散が抑制されるためであることを明らかにし,界面の酸化膜の形成プロセスを適正化することにより,高Ge濃度域においても大粒径且つ均一な成長を実現した. |
| 抄録(英) | Low-temperature (<550℃) Al-induced crystallization (AIC) of amorphous Si_<1-x>Ge_x (x=0-1) on glass substrate has been investigated to achieve high-speed thin-film transistors and high-efficiency thin-film solar cells. Crystal growth morphology drastically changed with Ge fraction, and layer exchange occurred heterogeneously for high Ge fractions (>50%). To solve this problem, the effects of interfacial oxide thickness on AIC growth were investigated. As a result, homogeneous layer exchange was achieved for samples with the whole Ge fractions (x=0-1) by controlling the air exposure time. These new findings will be a powerful tool to obtain high quality poly-SiGe films on glass substrates. |
| キーワード(和) | Al誘起層交換成長 / シリコンゲルマニウム(SiGe) / 薄膜トランジスタ / 薄膜太陽電池 / 低温結晶化 |
| キーワード(英) | Al-induced crystallization (AIC) / silicon germanium (SiGe) / thin-film transistor / thin-film solar cell / low-temperature crystallization |
| 資料番号 | SDM2009-5,OME2009-5 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2009/4/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Temperature Growth of Silicon-germanium on Glass by Aluminum Induced Layer Exchange |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al誘起層交換成長 / Al-induced crystallization (AIC) |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンゲルマニウム(SiGe) / silicon germanium (SiGe) |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜太陽電池 / thin-film solar cell |
| キーワード(5)（和/英） | 低温結晶化 / low-temperature crystallization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒澤 昌志 / Masashi KUROSAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川畑 直之 / Naoyuki KAWABATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2009-04-24 |
| 資料番号 | SDM2009-5,OME2009-5 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 20 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |