| 講演名 | 2009-04-24 塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) 堀井 美徳, 井川 光弘, 坂口 幸一, 近松 真之, 吉田 郵司, 阿澄 玲子, 茂木 弘, 北川 雅彦, 小西 久俊, 八瀬 清志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタのSiO_2ゲート絶縁膜上の自己組織化単分子膜(SAM)処理の検討を行い、絶縁膜の表面自由エネルギーと移動度の相関性を示した。表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン処理したデバイスにおいては、移動度1.5×10^<-2>cm^2/Vs、オン/オフ比10^5以上が得られた。 |
| 抄録(英) | We have investigated self-assembled monolayer (SAM) treatment on SiO_2 gate insulator of poly (3-hexylthiophene) (P3HT) thin-film transistor (TFT), and demonstrated a correlation between mobility and surface energy of the insulator. The device with lower surface free energy shows higher mobility. The docosyltrichlorosilane (DCTS)-treated device exhibits the best performance among the various SAM-treated device examined. Field-effect mobility and on/off ratio of the DCTS-treated P3HT TFT were 0.015cm^2/Vs and >10^5, respectively. |
| キーワード(和) | 有機薄膜トランジスタ / ポリ(3-ヘキシルチオフェン) / 自己組織化単分子膜 / ドコシルトリクロロシラン |
| キーワード(英) | Organic thin-film transistor / poly (3-hexylthiophene) / self-assembled monolayer / docosyltrichlorosilane |
| 資料番号 | SDM2009-3,OME2009-3 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/4/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of SAM treatment on gate insulator in solution processed organic thin-film transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機薄膜トランジスタ / Organic thin-film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | ポリ(3-ヘキシルチオフェン) / poly (3-hexylthiophene) |
| キーワード(3)（和/英） | 自己組織化単分子膜 / self-assembled monolayer |
| キーワード(4)（和/英） | ドコシルトリクロロシラン / docosyltrichlorosilane |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀井 美徳 / Yoshinori HORII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門:鳥取大学大学院工学研究科 Photonics Research Institute, National Institute of Advaced Industrial Science and Technology:Graduate School of Engineering, Tottori University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井川 光弘 / Mitsuhiro IKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advaced Industrial Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂口 幸一 / Koichi SAKAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advaced Industrial Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 近松 真之 / Masayuki CHIKAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advaced Industrial Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 郵司 / Yuji YOSHIDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advaced Industrial Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 阿澄 玲子 / Reiko AZUMI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advaced Industrial Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 茂木 弘 / Hiroshi MOGI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 財団法人化学技術推進機構:信越化学工業株式会社 Japan Chemical Innovation Institute:Shin-Etsu Chemical |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 北川 雅彦 / Masahiko KITAGWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 鳥取大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tottori University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 小西 久俊 / Hisatoshi KONISHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 鳥取大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tottori University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 八瀬 清志 / Kiyoshi YASE |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門 Photonics Research Institute, National Institute of Advaced Industrial Science and Technology |
| 発表年月日 | 2009-04-24 |
| 資料番号 | SDM2009-3,OME2009-3 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 20 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |