| 講演名 | 2009-04-24 パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長(TFT(有機,酸化物),一般) 村重 正悟, 松本 光正, 稲吉 陽平, 末光 眞希, 中嶋 節男, 上原 剛, 豊島 安健, |
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| 抄録(和) | パルス電界常圧プラズマCVD法を用いてPET基板上に多結晶Si(Poly-Si)成長を行い,Raman散乱分光法および透過電子顕微鏡(TEM)観察によりSi薄膜の結晶構造評価を行った.Poly-si膜の結晶化率は80%以上の高い値を示した.また成長速度は40nm/minと高速であり,インキュベーション層を介さずに基板直上からSi成長していることが確認された. |
| 抄録(英) | Polycrystalline Si films have been deposited on polyethylene terephthalate (PET) substrates using pulsed-plasma CVD under normal pressures. Crystalline structure of the Si films was evaluated by Raman scattering spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). The poly-Si film shows a high crystallinity of 80% or more. A growth rate as high as 40nm/min is obtained and direct growth of the Si polycrystallites on the PET substrate without incubation layers was confirmed. |
| キーワード(和) | 多結晶Si / プラズマCVD / ポリエチレンテレフタレート / パルス / 大気圧 |
| キーワード(英) | Polycrystalline silicon / PECVD / Polyethylene terephthalate / Pulsed / Atmospheric pressure |
| 資料番号 | ED2009-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/4/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長(TFT(有機,酸化物),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of polycrystalline Si on plastic substrate using pulsed-plasma CVD under near atmospheric pressure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶Si / Polycrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマCVD / PECVD |
| キーワード(3)（和/英） | ポリエチレンテレフタレート / Polyethylene terephthalate |
| キーワード(4)（和/英） | パルス / Pulsed |
| キーワード(5)（和/英） | 大気圧 / Atmospheric pressure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村重 正悟 / Shogo MURASHIGE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 光正 / Mitsutaka MATSUMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 稲吉 陽平 / Yohei INAYOSHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki SUEMITSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中嶋 節男 / Setsuo NAKAJIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 積水化学工業株式会社 Sekisui Chemicals Co. Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上原 剛 / Tsuyoshi UEHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 積水化学工業株式会社 Sekisui Chemicals Co. Ltd |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 豊島 安健 / Yasutake Toyoshima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 独立行政法人産業総合研究所エネルギー研究技術研究部門 Energy Technology Research Institute,AIST |
| 発表年月日 | 2009-04-24 |
| 資料番号 | ED2009-15 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 16 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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