| 講演名 | 2009-04-24 有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般) 宮城 達郎, 井田 雄介, 鈴木 貴彦, 成田 克, 廣瀬 文彦, |
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| 抄録(和) | スイッチング式電力制御回路に用いられている、pinダイオードのp層にSiGeを用いることで順方向電圧を劣化させずに逆方向回復時間を低減することを実証した。この結果により、pinダイオードと同じ電荷蓄積機構を持つInsulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)にSiGeを用いることで高速化を図ろうと考えた。SiGeは、高温酸化によりGe濃度が変化するため、高温処理を必要としない有機材料であるポリメタクリル酸メチル(PMMA)をゲートの絶縁膜としたIGBTの作製プロセスを開発した。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | SiGe / IGBT / PMMA / FET / pinダイオード |
| キーワード(英) | SiGe / IGBT / PMMA / FET / pin-diode |
| 資料番号 | ED2009-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/4/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機ゲートを用いたSiGe/Si/Si FETとIGBTの試作と評価(TFT(有機,酸化物),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Organic gate FETs and IGBTs with SiGe emitter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(2)（和/英） | IGBT / IGBT |
| キーワード(3)（和/英） | PMMA / PMMA |
| キーワード(4)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(5)（和/英） | pinダイオード / pin-diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮城 達郎 / Taturou MIYAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 雄介 / Yusuke IDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 貴彦 / Takahiko SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山形大学工学部 Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko HIROSE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 山形大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University |
| 発表年月日 | 2009-04-24 |
| 資料番号 | ED2009-11 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 16 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |