| 講演名 | 2009-04-24 Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般) 半田 浩之, 宮本 優, 齋藤 英司, 吹留 博一, 伊藤 隆, 末光 眞希, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である.その要求に応えるため,我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した. |
| 抄録(英) | With its industrial adaptability, epitaxial graphene, a graphene film formed by UHV annealing of SiC bulk substrates, is attracting recent attention. Still, a growth technique that allows formation of graphene films on Si substrates is strongly demanded when we want to utilize graphene as a post-CMOS material. To this goal, we have developed a growth technique of graphene on Si substrates by using an epitaxial film of 3C-SiC formed by organosilane gas-source MBE and its subsequent surface modification. |
| キーワード(和) | グラフェン / Si / 3C-SiC / 有機シラン / ガスソースMBE |
| キーワード(英) | Graphene / Si / 3C-SiC / Organosilane / Gas-source MBE |
| 資料番号 | ED2009-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/4/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layer on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 有機シラン / Organosilane |
| キーワード(5)（和/英） | ガスソースMBE / Gas-source MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 半田 浩之 / Hiroyuki HANDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮本 優 / Yu MIYAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 齋藤 英司 / Eiji SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吹留 博一 / Hirokazu FUKIDOME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆 / Takashi ITO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学学際科学国際高等研究センター Center for Interdisciplinary Research, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki SUEMITSU |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所:戦略的創造研究推進事業 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University:CREST, Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2009-04-24 |
| 資料番号 | ED2009-10 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 16 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |