講演名 | 2009-04-23 ヘテロ積層型フラーレンFETの性能と大気下安定性(TFT(有機,酸化物),一般) 中山 健一, 楠 貴博, 夫 勇進, 城戸 淳二, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | n型の有機電界効果型トランジスタの性能が大気下で急速に悪化する主な原因は、酸素や水によって形成される絶縁層界面の電子トラップであると考えられている。我々は、絶縁層とチャネル層間にアモルファス性のホール輸送性材料を挿入した「ヘテロ積層型FET構造」を用いることにより、フラーレンFETにおいて安定な大気下動作を実現した。 |
抄録(英) | N-type organic field effect transistors are generally unstable under atmospheric condition. This deterioration is attributed to the interfacial electron trap at the insulator surface. In this study, we achieved air-stable n-type FET by hetero-layered structure composed of hole transporting material and fullerene. |
キーワード(和) | n型有機FET / 大気下安定性 / ヘテロ積層構造 / フラーレン |
キーワード(英) | n-type organic field-effect transistor / air stability / hetero-layered structure / fullerene |
資料番号 | ED2009-3 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
---|---|
開催期間 | 2009/4/16(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ヘテロ積層型フラーレンFETの性能と大気下安定性(TFT(有機,酸化物),一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Performance and air-stability in hetero-layered field-effect transistors using fullerene |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | n型有機FET / n-type organic field-effect transistor |
キーワード(2)(和/英) | 大気下安定性 / air stability |
キーワード(3)(和/英) | ヘテロ積層構造 / hetero-layered structure |
キーワード(4)(和/英) | フラーレン / fullerene |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中山 健一 / Ken-ichi NAKAYAMA |
第 1 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Department of Organic Device Engineering, Yamagata University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 楠 貴博 / Takahiro KUSUNOKI |
第 2 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Department of Organic Device Engineering, Yamagata University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 夫 勇進 / Yong-Jin PU |
第 3 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Department of Organic Device Engineering, Yamagata University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 城戸 淳二 / Junji KIDO |
第 4 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 Department of Organic Device Engineering, Yamagata University |
発表年月日 | 2009-04-23 |
資料番号 | ED2009-3 |
巻番号(vol) | vol.109 |
号番号(no) | 16 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 2 |
発行日 |