講演名 | 2009-04-17 AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般) 市川 弘之, 福田 智恵, 松川 真治, 浜田 耕太郎, 生駒 暢之, 中林 隆志, |
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抄録(和) | 高速変調・高温駆動に優れたAlGaInAsレーザでは、信頼性の重要な指標であるESD耐性に関する報告がこれまでなかった。そこで今回我々は、AlGaInAsレーザのESD耐性を見積もり、1kVのESD試験での劣化率が約40%と、GaInAsPレーザの0%と比較して高いことが分かった。劣化機構を分析すると、端面の活性層での光吸収による溶解が劣化要因であることが分かった。GaInAsPレーザと比較して劣化率が高い理由は、Alを含む材料系のため活性層が酸化され易く、光吸収の要因となる非発光再結合準位が増加していることが推測された。そこでESD劣化を抑制するため、レーザ端面と端面コーティングの間に金属薄膜を挟むパッシベーションを行い、非発光再結合準位の低減を図った。その結果、1kVのESD試験での劣化率が0%とESD劣化を抑制する結果を得た。 |
抄録(英) | This is a report on electrostatic discharge (ESD)-induced degradation of AlGaInAs/InP laser diodes. We found that the dominant ESD-induced degradation mechanism of AlGaInAs/InP buried heterostructure laser diodes was melting of an active layer by light absorption. We obtained sufficient ESD tolerance of higher than 1kV by introduction of facet passivation. |
キーワード(和) | AlGaInAs / InP / ESD |
キーワード(英) | AlGaInAs / InP / ESD |
資料番号 | R2009-2,CPM2009-2,OPE2009-2 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2009/4/10(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Electrostatic-Discharge Tolerance of AlGaInAs Laser Diodes |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | AlGaInAs / AlGaInAs |
キーワード(2)(和/英) | InP / InP |
キーワード(3)(和/英) | ESD / ESD |
第 1 著者 氏名(和/英) | 市川 弘之 / Hiroyuki ICHIKAWA |
第 1 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Lab., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 福田 智恵 / Chie FUKUDA |
第 2 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Lab., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 松川 真治 / Shinji MATSUKAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社解析技術研究センター Analysis Technology Reserch Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 浜田 耕太郎 / Kotaro HAMADA |
第 4 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社解析技術研究センター Analysis Technology Reserch Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 生駒 暢之 / Nobuyuki IKOMA |
第 5 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Lab., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 中林 隆志 / Takashi NAKABAYASHI |
第 6 著者 所属(和/英) | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Devices R & D Lab., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
発表年月日 | 2009-04-17 |
資料番号 | R2009-2,CPM2009-2,OPE2009-2 |
巻番号(vol) | vol.109 |
号番号(no) | 7 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |