| 講演名 | 2009/2/2 ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術) 青木 秀充, 渡邊 大祐, 大井 直樹, 鄭 鍾〓, 木村 千春, 杉野 隆, |
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| 抄録(和) | LSIのCu配線におけるバリアメタルとしてRu膜が検討されているが、クロスコンタミネーションを防止する観点から、特にウエハベベル部のRu膜の除去が必要とされている。しかしながら、Ru膜は、次亜塩素酸ナトリウムや硝酸セリウムアンモニウム等の特殊な濃厚薬液で溶解する必要がある。今回、希釈薬液を用いてRu膜を電気化学的に溶解除去できる方法を見出した。陰極ブラシに接触した部分で、Ru膜が容易に溶解し、そのエッチング速度は、0.5%の希釈HCl溶液で50nm/minと比較的速いことが明らかになった。実際に除去するRuの膜厚は、2～5nm程度であることから、枚葉式のベベル処理装置を提案した場合、ベベル部のRu膜はウエハ回転によって十分除去が可能であると考えられる。更に、本技術は、特殊な溶液を必要とせず、低濃度の一般薬液を用いて実現できるため、低コスト、環境負荷低減にも繋がる新たな技術として期待できる。 |
| 抄録(英) | We have developed a new wet technology using electrochemical etching to remove ruthenium (Ru) film on the wafer bevels for back end of line (BEOL) processes of LSIs. Ru films cannot be etched using conventional acidic solutions. In our electrochemical etching process, Ru film on the cathode side is easily etched by supplying DC voltage. An etching rate of 50nm/min for Ru film was achieved using a diluted HCl solution of 0.5%. We proposed our bevel etching system using the electrochemical method. This technology is a stable, low cost and environmentally friendly process without conventional special and concentrated solutions. |
| キーワード(和) | ベベル洗浄 / Ru / Cu配線 / クロスコンタミネーション / BEOL |
| キーワード(英) | Bevel cleaning / ruthenium (Ru) / Cu interconnection / cross contamination / BEOL |
| 資料番号 | SDM2008-211 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/2/2(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrochemical Etching of Ru Film for Bevel Cleaning of Back End of Line |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ベベル洗浄 / Bevel cleaning |
| キーワード(2)（和/英） | Ru / ruthenium (Ru) |
| キーワード(3)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnection |
| キーワード(4)（和/英） | クロスコンタミネーション / cross contamination |
| キーワード(5)（和/英） | BEOL / BEOL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青木 秀充 / Hidemitsu Aoki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡邊 大祐 / Daisuke Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大井 直樹 / Naoki Ooi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鄭 鍾〓 / Jong-Hyeon J. |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木村 千春 / Chiharu Kimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 杉野 隆 / Takashi Sugino |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2009/2/2 |
| 資料番号 | SDM2008-211 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 428 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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