| 講演名 | 2009/2/2 一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術(配線・実装技術と関連材料技術) 中村 直文, 松永 範昭, 和田 真, 上夏井 健, 渡邊 桂, 柴田 英毅, |
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| 抄録(和) | 本報告においては、一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ構造について提案を行う。エアギャップを用いた配線においても、通常の低誘電率絶縁膜を用いた配線と同様に吸湿や配線の酸化が配線特性に影響を与えることを確認した。このエアギャップ構造における吸湿に対する解決方法についてもプロセスの提案を行っている。今回提案しているエアギャップ構造は従来の多層配線プロセスの整合性も高いプロセスである。さらに、今回提案する本プロセスは付加されるプロセス数も非常に少なく、高いミスアライメント尤度も有するものである。 |
| 抄録(英) | Low process cost air-gap structure for multilevel interconnect system is proposed by all-in-one post-removing process. Problems regarding the air-gap process were studied and solutions for moisture uptake and for metal wiring oxidation were developed. The proposed air-gap process is compatible with the conventional BEOL process. Furthermore, this process can build the air-gap structure with least additional process steps, and it tolerates misalignment. |
| キーワード(和) | エアギャップ配線 / 一括後抜き / 吸湿 / スルーホール / サイドウェール |
| キーワード(英) | air-gap interconnect / all-in-one / post-removing / through-hole / sidewall |
| 資料番号 | SDM2008-209 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/2/2(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 一括後抜きプロセスを用いた低コストエアギャップ配線技術(配線・実装技術と関連材料技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Cost-effective Air-gap Interconnect Technology by All-in-One Post-Removing Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エアギャップ配線 / air-gap interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | 一括後抜き / all-in-one |
| キーワード(3)（和/英） | 吸湿 / post-removing |
| キーワード(4)（和/英） | スルーホール / through-hole |
| キーワード(5)（和/英） | サイドウェール / sidewall |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 直文 / N. Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松永 範昭 / N. Matsunaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 和田 真 / M. Wada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上夏井 健 / T. Kaminatsui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡邊 桂 / K. Watanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 柴田 英毅 / H. Shibata |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝セミコンダクター社 Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2009/2/2 |
| 資料番号 | SDM2008-209 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 428 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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