| 講演名 | 2009-05-22 GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般) 揖場 聡, 黄 晋二, 河口 仁司, |
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| 抄録(和) | (110)基板上のIII-V族化合物半導体量子井戸は、非常に長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピンデバイスの有望な系として大きな注目を集めている。我々は(110)基板上スピンデバイスへの応用を目指して、分子線エピタキシー法による(110)GaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長条件の最適化に取り組み、約1.8nsに達する非常に長い電子スピン緩和時間を観測した。また、量子井戸界面において成長中断を導入することで、より平滑なヘテロ界面を形成することに成功し、更に長い電子スピン緩和時間を得ることができた。 |
| 抄録(英) | III-V semiconductor quantum wells on (110)-oriented substrates have attracted significant attention as potential systems for spintronic devices since dramatically long electron spin relaxation time τ_s in (110) GaAs/AlGaAs multiple quantum wells (MQWs) was demonstrated. In order to realize spintronic devices on (110)-oriented substrates, we first carried out optimization of molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions on GaAs (110) substrates. In (110)-oriented GaAs/AlGaAs MQWs fabricated using the optimized growth condition, we obtained ten times longer τ_s, (～1.8ns) than that in (100) MQWs. By introducing growth interruption at hetero-interfaces during MBE growth, we successfully fabricated the MQWs with smoother interfaces, resulting in even longer τ_s in the MQWs (～2.1ns). |
| キーワード(和) | (110)量子井戸 / スピン緩和 / 成長中断 |
| キーワード(英) | (110)-oriented Quantum Well / Spin Relaxation / Growth Interruption |
| 資料番号 | LQE2009-9 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/5/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Growth of GaAs/AlGaAs Quantum Wells on GaAs (110) and Evaluation of Electron Spin Relaxation Times |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | (110)量子井戸 / (110)-oriented Quantum Well |
| キーワード(2)（和/英） | スピン緩和 / Spin Relaxation |
| キーワード(3)（和/英） | 成長中断 / Growth Interruption |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 揖場 聡 / Satoshi IBA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黄 晋二 / Shinji KOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河口 仁司 / Hitoshi KAWAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2009-05-22 |
| 資料番号 | LQE2009-9 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 49 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |