| 講演名 | 2009-01-22 適応バイアス技術を用いたバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの高性能化 松元 藤彦, 宮澤 壽志大, 中村 晋太朗, 野口 泰明, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本稿では、適応バイアス技術によるバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの消費電力削減手法を提案する。この手法は、従来回路のテール電流部に適応バイアス技術を用いることで動作範囲を犠牲にすることなく不必要な電流を削減するものである。また、適応バイアス技術を用いる際に生じるGm特性の線形性の悪化を補償するために、抵抗領域で動作する2つのMOSFETを付加した。シミュレーションの結果より、提案手法は、トランスコンダクタの低消費電力化及び高線形化に有効であることが示された。 |
| 抄録(英) | In this paper, performance improvement with low-power consumption for bias-offset transconductor using adaptively biasing technique is proposed. This method is used to reduce wasteful operating current without reduction of operating range. Moreover, two MOSFETs operating as resisters are employed to improve the linearity of deteriorated transconductance characteristic by using the adaptively biasing technique. This simulation results show that the proposed technique are effective to realize low-power and high-linearity transconductor. |
| キーワード(和) | アナログ集積回路 / トランスコンダクタ / 線形回路 / CMOS / 省電力化 / 線形化 |
| キーワード(英) | Analog integrated circuits / Transconductor / Linear Circuit / CMOS / Low Power / Linearization |
| 資料番号 | CAS2008-65,NLP2008-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | NLP |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/1/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Nonlinear Problems (NLP) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 適応バイアス技術を用いたバイアスオフセット型CMOSトランスコンダクタの高性能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance Improvement for Bias-Offset Transconductor Using Adaptively Biasing Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アナログ集積回路 / Analog integrated circuits |
| キーワード(2)（和/英） | トランスコンダクタ / Transconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 線形回路 / Linear Circuit |
| キーワード(4)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(5)（和/英） | 省電力化 / Low Power |
| キーワード(6)（和/英） | 線形化 / Linearization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松元 藤彦 / Fujihiko MATSUMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 防衛大学校応用物理学科 Faculty of Engineering, National Defense Academy |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮澤 壽志大 / Toshio MIYAZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 防衛大学校応用物理学科 Faculty of Engineering, National Defense Academy |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 晋太朗 / Shintaro NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 防衛大学校応用物理学科 Faculty of Engineering, National Defense Academy |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野口 泰明 / Yasuaki NOGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 防衛大学校応用物理学科 Faculty of Engineering, National Defense Academy |
| 発表年月日 | 2009-01-22 |
| 資料番号 | CAS2008-65,NLP2008-95 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 389 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |