講演名 2009-02-20
シリコーン蒸気汚染による接触不良発生の電気回路条件依存性(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
玉井 輝雄,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) シリコーン蒸気に起因するシリコーン汚染で接触デバイスの接触抵抗は増加し接触不良にいたる。この接触不良の発生は負荷の電気条件や接触荷重等の機械的条件に強く依存する。電気負荷条件とデバイスの大きさが決まると接触不良が発生するか否かを決める境界が電気負荷の電圧電流特性から決まる。著者はすでにこの境界線が小形のリレーの抵抗負荷で1.6Wであることを見出した。ここでは、この接触不良発生の1.6Wの限界線を他に報告されている結果や実際のフィールドデータ等から検討した。
抄録(英) Occurrence of contact failure in increase in contact resistance of contact devices due to the silicon contamination caused by silicone vapor depends on electrical conditions such as contact loads and on mechanical conditions of electrical contacts. A boundary line in voltage and current characteristic of the electrical load is given by electrical load conditions and size of contact devices. The boundary line of small size relays were found as 1.6W for resistive load by the author. In the present paper, this result was discussed with the other results and actual field data.
キーワード(和) シリコーン蒸気汚染 / 接触不良 / 接触機構デバイス / 接良不良発生の限界曲線
キーワード(英) Silicone vapor contamination / contact failure / contact electromechanical devices / boundary line for contact failure
資料番号 R2008-53,EMD2008-129
発行日

研究会情報
研究会 R
開催期間 2009/2/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Reliability(R)
本文の言語 JPN
タイトル(和) シリコーン蒸気汚染による接触不良発生の電気回路条件依存性(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Dependency of Occurrence of Contact Failure due to Silicone Contamination on Electrical Load Conditions
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) シリコーン蒸気汚染 / Silicone vapor contamination
キーワード(2)(和/英) 接触不良 / contact failure
キーワード(3)(和/英) 接触機構デバイス / contact electromechanical devices
キーワード(4)(和/英) 接良不良発生の限界曲線 / boundary line for contact failure
第 1 著者 氏名(和/英) 玉井 輝雄 / Terutaka Tamai
第 1 著者 所属(和/英) 三重大学大学院工学研究科(株)オートネットワーク技術研究所連携講座
Mie University, Graduate School of Engineering, Laboratory of Vehicle Network Technology which corroborates with AutoNetworks Technologies Ltd.
発表年月日 2009-02-20
資料番号 R2008-53,EMD2008-129
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 433
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日