| 講演名 | 2008-12-12 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般) 大坪 孝二, 松田 学, 高田 幹, 奥村 滋一, 江川 満, 田中 宏昌, 井出 聡, 森 和行, 山本 剛之, |
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| 抄録(和) | 将来の10Gb/s超のイーサネットに代表される超高速伝送に向けて低コスト,低消費電力の光源が求められている.波長1.3μm帯AlGaInAs系歪量子井戸レーザは,そのバンド構造の優位性から高速直接変調光源として有望であり,我々は更に動作電流低減と高速化に有利な短共振器の高抵抗埋め込み(SI-BH)レーザを検討している.今回,SI-BH構造の波長1.3μm帯AlGaInAs系歪量子井戸DFBレーザの25Gb/s,40Gb/s直接変調動作について報告する. |
| 抄録(英) | High-speed light sources with low cost and consumption power are highly anticipated for future high bit-rate optical transmission systems, such as over-10-Gb/s Ethernet and so on. 1.3-μm AlGaInAs multiple-quantum-well (MQW) lasers are attractive for such application, owing to their band structure having large conduction-band offset. We combined them with semi-insulating buried-heterostructure (SI-BH) and short-cavity structure in order to operate them with high-speed and low driving current. We report high-speed direct modulation of 1.3-μm SI-BH AlGaInAs MQW DFB lasers. We show the results of 25- and 40-Gb/s direct modulation. |
| キーワード(和) | 波長1.3μm / AlGaInAs歪量子井戸 / 高抵抗埋め込み / 直接変調レーザ / 25Gb/s / 40Gb/s |
| キーワード(英) | 1.3μm / AlGaInAs multiple-quantum-well / semi-insulating buried-heterostructure / directly-modulated lasers / 25Gb/s / 40Gb/s |
| 資料番号 | LQE2008-140 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2008/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Speed Direct Modulation of 1.3-μm AlGaInAs Multiple-Quantum-Well DFB Lasers with Semi-Insulating Current-Blocking Layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 波長1.3μm / 1.3μm |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaInAs歪量子井戸 / AlGaInAs multiple-quantum-well |
| キーワード(3)（和/英） | 高抵抗埋め込み / semi-insulating buried-heterostructure |
| キーワード(4)（和/英） | 直接変調レーザ / directly-modulated lasers |
| キーワード(5)（和/英） | 25Gb/s / 25Gb/s |
| キーワード(6)（和/英） | 40Gb/s / 40Gb/s |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大坪 孝二 / Koji OTSUBO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:Optoelectronic Industry and Technology Development Association |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松田 学 / Manabu MATSUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:Optoelectronic Industry and Technology Development Association |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高田 幹 / Kan TAKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥村 滋一 / Shigekazu OKUMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江川 満 / Mitsuru EKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:Optoelectronic Industry and Technology Development Association |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 宏昌 / Hiromasa TANAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通(株) Fujitsu Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 井出 聡 / Satoshi IDE |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 森 和行 / Kazuyuki MORI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通(株) Fujitsu Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会 Fujitsu Laboratories Ltd.:Fujitsu Ltd.:Optoelectronic Industry and Technology Development Association |
| 発表年月日 | 2008-12-12 |
| 資料番号 | LQE2008-140 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 351 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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