| 講演名 | 2008-12-12 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓(半導体レーザ関連技術,及び一般) 野村 一郎, 岸野 克巳, 蛯沢 智也, 櫛田 俊, 田才 邦彦, 中村 均, 朝妻 庸紀, 中島 博, |
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| 抄録(和) | InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe II-VI族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望である。我々はこれら材料の開拓を進め、活性層にBeZnSeTe、nクラッド層にMgSe/ZnCdSe超格子、pクラッド層にMgSe/BeZnTe超格子を用いた発光素子の開発を行ってきた。その結果、5000時間以上の素子寿命を達成し、II-VI族素子としては大幅な改善を得た。一方、BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造では室温において緑色光励起発振に成功し、BeZnSeTeが緑色レーザの活性層材料として高い性能を有していることを示した。 |
| 抄録(英) | MgZnCdSe, BeZnTe, and BeZnSeTe II-VI compound semiconductors grown on InP substrates are very attractive for middle visible range, especially green light emitting devices. We have developed these materials and emitting devices composed of BeZnSeTe active, MgSe/ZnCdSe superlattice (SL) n-cladding, and MgSeBeZnTe SL p-cladding layers. Long lifetime operations beyond 5000h were achieved for the devices, which shows a remarkable improvement of the aging characteristic of II-VI devices. We succeeded in photopumped green lasing at room temperature for the double heterostructures having a BeZnSeTe active layer to indicate a high potentiality of BeZnSeTe as an active layer of green laser diodes. |
| キーワード(和) | InP基板 / II-VI族半導体 / 緑色発光 / 発光素子 / 長寿命 / レーザ / 光励起発振 |
| キーワード(英) | InP substrate / II-VI compound semiconductor / green emission / light emitting device / long lifetime / laser / photopumped lasing |
| 資料番号 | LQE2008-138 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2008/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of II-VI materials on InP substrates for green semiconductor laser diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP基板 / InP substrate |
| キーワード(2)（和/英） | II-VI族半導体 / II-VI compound semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 緑色発光 / green emission |
| キーワード(4)（和/英） | 発光素子 / light emitting device |
| キーワード(5)（和/英） | 長寿命 / long lifetime |
| キーワード(6)（和/英） | レーザ / laser |
| キーワード(7)（和/英） | 光励起発振 / photopumped lasing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野村 一郎 / Ichirou NOMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 蛯沢 智也 / Tomoya EBISAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 櫛田 俊 / Shun KUSHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田才 邦彦 / Kunihiko TASAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 均 / Hitoshi NAKAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 朝妻 庸紀 / Tsunenori ASATSUMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 中島 博 / Hiroshi NAKAJIMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2008-12-12 |
| 資料番号 | LQE2008-138 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 351 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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