| 講演名 | 2008-11-27 RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 高木 悠介, 野沢 浩一, 山口 智広, 荒木 努, 名西 [ヤス]之, |
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| 抄録(和) | 今回、LiAlO_2(100)基上に無極性M面InNの結晶成長に成功したので報告する。RF-MBE法を用いて、LiAlO_2(100)基板上に直接InNをエピタキシャル成長させた。成長温度およびV/III比を変化させて成長を行ったところ、成長温度450℃かつ僅かにIn-rich条件下においてM面InNの結晶成長に成功した。しかし、成長温度が低くなるにつれてC面InNが混在しやすく、また成長温度450℃においてもN-rich条件ではC面InNの混在が確認された。このように、LiAlO_2(100)基板上にM面InNを作製するために、成長温度450℃かつ僅かにIn-rich条件に制御することが重要であることがわかった。このようにして得られたLiAlO_2(100)基板上M面InNの透過型電子顕微鏡(TEM)による極微構造評価も行ったので報告する。 |
| 抄録(英) | In this study, we report the growth and characterization of M-plane InN films on LiAlO_2 (100) substrates by radio-frequency plasma assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). InN films were grown directly on the substrate. Pure M-plane InN was successfully grown at 450℃ and under slightly In-rich condition. However, the incorporation of C-plane InN phases were confirmed in M-plane InN films at low temperature or under N-rich condition. Therefore, it is important to control the growth temperature and V/III ratio for the growth of pure M-plane InN. We also characterized the microstructure of the pure M-plane InN on LiAlO_2 (100) by using transmission electron microscopy (TEM). |
| キーワード(和) | InN / 無極性 / 分子線エピタキシー / LiAlO_2 / 透過型電子顕微鏡 |
| キーワード(英) | InN / non-polar / MBE / LiAlO_2 / TEM |
| 資料番号 | ED2008-157,CPM2008-106,LQE2008-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Characterization of M-plane InN on LiAlO_2 Substrate by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InN / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 無極性 / non-polar |
| キーワード(3)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| キーワード(4)（和/英） | LiAlO_2 / LiAlO_2 |
| キーワード(5)（和/英） | 透過型電子顕微鏡 / TEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 悠介 / Yusuke TAKAGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野沢 浩一 / Hirokazu NOZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 智広 / Tomohiro YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学総合理工学研究機構 Res. Org. of Sci. & Eng., Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 名西 [ヤス]之 / Yasushi NANISHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2008-11-27 |
| 資料番号 | ED2008-157,CPM2008-106,LQE2008-101 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 323 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |