| 講演名 | 2009-01-29 Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A new approach to reduce the reverse current of Ge pin photodiodes on Si is presented, in which an i-Si layer is inserted between Ge and top Si layers to reduce the electric field in the Ge layer. Without post-growth annealing, the reverse current density is reduced to ～10mA/cm^2 at -1V, i.e. one order of magnitude lower than that of the reference photodiode without i-Si layer. The responsivity of the Ge photodiode reaches the nearly theoretical maximum. This "non-thermal" approach to reduce reverse current should accelerate electronics-photonics convergence using Ge on the Si CMOS platform. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | PN2008-44,OPE2008-147,LQE2008-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2009/1/22(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Sungbong Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2009-01-29 |
| 資料番号 | PN2008-44,OPE2008-147,LQE2008-144 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 418 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |