| 講演名 | 2009/1/19 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) 渡辺 竜太, 大石 周, 佐貫 朋也, 君島 秀樹, 岡本 和之, 藤田 悟, 福井 大伸, 吉田 健司, 大谷 寛, 森藤 英治, 小島 健嗣, 猪原 正弘, 五十嵐 弘文, 本多 健二, 吉村 尚郎, 中山 武雄, 三宅 慎一, 平井 友洋, 岩本 敏幸, 中原 寧, 木下 功一, 森本 寿喜, 小林 幸子, 姜 帥現, 池田 昌弘, 今井 清隆, 岩井 正明, 中村 典生, 松岡 史倫, |
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| 抄録(和) | 今回は40nm世代のLow Standby Power CMOSトランジスタ技術を紹介する。微細化によりゲート密度は2100kGate/mm^2を達成した。そしてトランジスタのパワー低減に伴う駆動力劣化を各種アイテムにより改善した。また、混載SRAMはセルサイズを0.195um^2まで縮小し、Hfドーピング技術によって、不純物ばらつきを低減し、歩留まりの改善を実現した。その他、混載アナログデバイスは50%以上のパワーを低減し、また、DFM(Design for Manufacturing)によるsystematicなばらつきを抑制した。そして、前世代に対し50%以上のトータルパワー低減を実現した。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2008-202 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2009/1/19(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A low standby power 40nm CMOS technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 竜太 / R. Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大石 周 / A. Oishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐貫 朋也 / T. Sanuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 君島 秀樹 / H. Kimijima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡本 和之 / K. Okamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤田 悟 / S. Fujita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福井 大伸 / H. Fukui |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 吉田 健司 / K. Yoshida |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 大谷 寛 / H. Otani |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 森藤 英治 / E. Morifuji |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 小島 健嗣 / K. Kojima |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 猪原 正弘 / M. Inohara |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 弘文 / H. Igrashi |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 本多 健二 / K. Honda |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 吉村 尚郎 / H. Yoshimura |
| 第 15 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 中山 武雄 / T. Nakayama |
| 第 16 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 17 著者 氏名（和/英） | 三宅 慎一 / S. Miyake |
| 第 17 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 18 著者 氏名（和/英） | 平井 友洋 / T. Hirai |
| 第 18 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 19 著者 氏名（和/英） | 岩本 敏幸 / T. Iwamoto |
| 第 19 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 20 著者 氏名（和/英） | 中原 寧 / Y. Nakahara |
| 第 20 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 21 著者 氏名（和/英） | 木下 功一 / K. Kinoshita |
| 第 21 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 22 著者 氏名（和/英） | 森本 寿喜 / T. Morimoto |
| 第 22 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 23 著者 氏名（和/英） | 小林 幸子 / S. Kobayashi |
| 第 23 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 24 著者 氏名（和/英） | 姜 帥現 / S. Kyoh |
| 第 24 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 25 著者 氏名（和/英） | 池田 昌弘 / M. Ikeda |
| 第 25 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 26 著者 氏名（和/英） | 今井 清隆 / K. Imai |
| 第 26 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 27 著者 氏名（和/英） | 岩井 正明 / M. Iwai |
| 第 27 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 28 著者 氏名（和/英） | 中村 典生 / N. Nakamura |
| 第 28 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation |
| 第 29 著者 氏名（和/英） | 松岡 史倫 / F. Matsuoka |
| 第 29 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2009/1/19 |
| 資料番号 | SDM2008-202 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 407 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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