| 講演名 | 2009-01-15 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) 槇田 毅彦, 玉井 功, 星 真一, 関 昇平, |
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| 抄録(和) | 半絶縁性化合物基板並みの減衰定数を有する低損失線路の実現を目指し、高抵抗シリコン基板上コプレーナ線路(CPW)を作製し、ミリ波マイクロ波領域における損失を評価した。CPWと高抵抗シリコン基板間に窒化シリコン(SiN)絶縁膜を挿入すると、その減衰定数は1GHz以上で1dB/mmを超えることが判明した。CPWの等価回路の計算によれば、シリコン基板と絶縁膜間に低抵抗層を仮定すると、この大きい損失をよく説明できる。そこでCPW中央の信号線路とその両側の接地導体間の絶縁膜をエッチングにより除去したところ、100GHz以下で損失がほぼ1dB/mm以下である低損失線路が実現できた。この減衰定数は半絶縁性化合物半導体基板上に形成したCPWの減衰定数に匹敵するものである。本構造を採用することにより、マルチチップモジュール向け基板として高抵抗シリコン基板を適用できる。 |
| 抄録(英) | We have fabricated and evaluated attenuation characteristics of coplanar waveguide (CPW) on high-resisitivity silicon substrate in order to realize low loss CPW whose attenuation constant is as low as that on semi-insulating compound semiconductor for microwave and millimeter wave band. When an insulated SiN layer was inserted between the CPW and high-resistivity silicon substrate, it was found that the attenuation constant exceeded 1dB/mm at 1GHz. The larger attenuation can be explained well by assuming a low resistivity layer between silicon substrate and insulated layer according to the equivalent circuit of the CPW. The CPW on high-resistivity silicon substrate with attenuation constant of less than 1dB/mm could be obtained by etching the insulated layer between the center strip and both side ground planes, which is comparable with that of CPW formed on the semi-insulating compound semiconductor substrate. This CPW structure enables high-resistivity silicon substrate to be adapted for multichip module technology. |
| キーワード(和) | コプレーナ線路 / 高抵抗シリコン基板 / 低損失 |
| キーワード(英) | Coplanar Waveguide / High-Resistivity Silicon Substrate / Low Loss |
| 資料番号 | ED2008-209,MW2008-174 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2009/1/7(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Loss Coplanar Waveguide Structure on High-Resistivity Silicon Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | コプレーナ線路 / Coplanar Waveguide |
| キーワード(2)（和/英） | 高抵抗シリコン基板 / High-Resistivity Silicon Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 低損失 / Low Loss |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 槇田 毅彦 / Takehiko MAKITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 玉井 功 / Isao TAMAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 星 真一 / Shinichi HOSHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 関 昇平 / Shohei SEKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2009-01-15 |
| 資料番号 | ED2008-209,MW2008-174 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 376 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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