講演名 | 2009-01-15 固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) 丸山 契, 小武内 哲雄, 淀川 信一, 高坂 諭, |
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抄録(和) | 磁界印加によって異方性を生じる固体プラズマ材料をサブミリ波帯結合線路に挿入した場合に見られる非可逆伝搬特性について,理論的,実験的に検討を行った.まず,上記の構造について3次元FDTD法による解析を行った結果,印加磁界の変化によって線路間の結合特性を大きく変化させうることが示され,同時に結合に非可逆特性が現れることが明らかとなった.一方,固体プラズマ材料としてn-InAsを用いた実験により,実際に常温で非可逆結合特性が得られることを確認し,上記の構造によりサブミリ波帯の特性可変な非可逆素子を構成できることが示された. |
抄録(英) | Submillimeter wave nonreciprocal propagation characteristics of a coupled line containing solid-state magnetoplasma material have been studied theoretically and experimentally. Results of finite-difference time-domain(FDTD) analyses show that the coupling characteristics of above-mentioned structure can be largely varied by the transversely applied magnetic field, and that large nonreciprocity appears on the wave propagation. The results of the experiments employing n-type InAs as plasma material actually revealed the existence of the predicted nonreciprocal propagation characteristics. These results show that our structure works as a tunable nonreciprocal device in the submillimeter-wave frequency range. |
キーワード(和) | サブミリ波 / 固体プラズマ / InAs / InSb / 結合線路 / 非可逆素子 |
キーワード(英) | submillimeter wave / solid-state plasma / InAs / InSb / coupled line / nonreciprocal device |
資料番号 | ED2008-208,MW2008-173 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2009/1/7(から1日開催) |
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幹事氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 固体プラズマを挿入したサブミリ波帯結合線路の非可逆伝搬特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Submillimeter Wave Nonreciprocal Propagation Characteristics of a Coupled Line Containing Solid-State Plasma Material |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | サブミリ波 / submillimeter wave |
キーワード(2)(和/英) | 固体プラズマ / solid-state plasma |
キーワード(3)(和/英) | InAs / InAs |
キーワード(4)(和/英) | InSb / InSb |
キーワード(5)(和/英) | 結合線路 / coupled line |
キーワード(6)(和/英) | 非可逆素子 / nonreciprocal device |
第 1 著者 氏名(和/英) | 丸山 契 / Kei MARUYAMA |
第 1 著者 所属(和/英) | 秋田大学工学資源学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小武内 哲雄 / Tetsuo OBUNAI |
第 2 著者 所属(和/英) | 秋田大学工学資源学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 淀川 信一 / Shinichi YODOKAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 秋田大学工学資源学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 高坂 諭 / Satoru KOUSAKA |
第 4 著者 所属(和/英) | 秋田大学工学資源学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University |
発表年月日 | 2009-01-15 |
資料番号 | ED2008-208,MW2008-173 |
巻番号(vol) | vol.108 |
号番号(no) | 376 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |