| 講演名 | 2009-01-29 MOD法により作製したBi-2212/MgO薄膜のface-to-faceアニールによる均一性の向上(アナログ応用,一般) 濱中 公志, 立木 隆, 内田 貴司, |
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| 抄録(和) | 我々は、テラヘルツ帯で動作する発振器・検出器などへの応用を目指し、真空装置を必要とせず、低コストで大面積での成膜が可能な有機金属分解(MOD)法によるMgO基板上へのBi_2Sr_2CaCu_2O_<8+x>(Bi-2212)薄膜の作製を行っている。これまでのBi-2212/MgO薄膜の作製において良好な結晶性が得られているものの840℃の高温で焼成した場合、Bi-2212の熱分解による組成の均一性に問題があった。そこで、本研究では、従来の単一基板による焼成法とは異なるプリカーサ基板表面を互いに重ね合わせるface-to-faceアニールによる焼成方法を導入し、均一性の向上について検討を行った。その結果、単一基板に比べて大幅にBi-2212の熱分解は抑制され組成の均一性は向上した。また、a-b面内での配向においてMgO基板に対し45°の配向角が支配的な薄膜が得られた。これらの組成ならびに面内配向の均一性の向上により、4.2Kにおいて単一基板の場合と比べて1桁以上の臨界電流密度の向上を得た。 |
| 抄録(英) | In order to apply the film to high frequency devices such as a terahertz oscillator and detector, we have been fabricating a Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+x>(Bi-2212) thin film on a MgO substrate by the metal-organic decomposition (MOD) method which has the advantages such as the absence of a vacuum system, low running cost and the ability to fabricate large-area films. However, we had a problem of non-uniformity of the film caused by a thermal decomposition of Bi-2212 when the film was annealed at 840℃. In this study, we introduced a face-to-face annealing of the precursor films, whose method was different from the conventional single substrate method, to improve the uniformity of a composition, and investigated the uniformity of the Bi-2212 thin film. The thermal decomposition of Bi-2212 was drastically suppressed by introducing the face-to-face annealing method. In a measurement of in-plane-orientation, a rotation angle of 45 deg against the MgO substrate was dominant. By improving the uniformity of the composition and in-plane-orientation, a critical current density at 4.2K of the film with the face-to-face annealing became one-order higher than that with the conventional single substrate method. |
| キーワード(和) | 有機金属分解(MOD)法 / face-to-faceアニール / Bi-2212薄膜 / MgO基板 |
| キーワード(英) | Metal-organic decomposition (MOD) method / face-to-face annealing / Bi-2212 thin films / MgO substrate |
| 資料番号 | SCE2008-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2009/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOD法により作製したBi-2212/MgO薄膜のface-to-faceアニールによる均一性の向上(アナログ応用,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of uniformity for Bi-2212/MgO thin films fabricated by the MOD method with face-to-face annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属分解(MOD)法 / Metal-organic decomposition (MOD) method |
| キーワード(2)（和/英） | face-to-faceアニール / face-to-face annealing |
| キーワード(3)（和/英） | Bi-2212薄膜 / Bi-2212 thin films |
| キーワード(4)（和/英） | MgO基板 / MgO substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 濱中 公志 / Koji Hamanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 防衛大学校電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, National Defense Academy |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 立木 隆 / Takashi Tachiki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 防衛大学校電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, National Defense Academy |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内田 貴司 / Takashi Uchida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 防衛大学校電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, National Defense Academy |
| 発表年月日 | 2009-01-29 |
| 資料番号 | SCE2008-32 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |