| 講演名 | 2008-12-19 Si細線に集積した導波路型InGaAs MSM受光素子(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般) 大平 和哉, 鈴木 信夫, 江崎 瑞仙, |
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| 抄録(和) | 光配線用のSi導波路に集積したInGaAs MSM受光素子の提案および基本動作特性に関して報告する。本素子はSi導波路にInGaAs吸収層をウェハ直接接合技術により接合しており、Si導波路から吸収層へ光を分布結合させるタイプの素子である。導波路と吸収層を直接接合したことにより、導波路との高効率結合が可能である。また、MSM電極の採用により、簡易な電極形成、高速応答特性が期待できる。動作特性解析において、素子長10μm幅2μmで量子効率80%以上が得られることを明らかとし、これまでの素子に比べて小面積の受光素子が実現できることを示した。実際にSi導波路上に作製した素子において、波長1.55μm受光動作を確認した。 |
| 抄録(英) | InGaAs MSM waveguide-photodetector is proposed and its fundamental device characteristics are reported. InGaAs absorption layer is directly bonded to Si waveguide with direct wafer bonding technology. Input optical signals propagated in Si waveguide are coupled to in the InGaAs layer with evanescent coupling. The direct wafer bonding of waveguide and absorption layers enables higher coupling efficiency by adopting MSM (metal-semiconductor-metal) structure, easy fabrication of electrodes and high-speed response is expected. Theoretical investigation shows the device can realize quantum efficiency of over 80% with 10-μm length and 2-μm width, which is smaller area compared with conventional devices. Fabricated device integrated on Si waveguide shows fundamental operation for 1.55μm wavelength. |
| キーワード(和) | 光配線 / 受光素子 / Si導波路 / Siフォトニクス |
| キーワード(英) | Optical interconnection / photo-detector / Si waveguide / Si photonics |
| 資料番号 | OPE2008-142 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2008/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si細線に集積した導波路型InGaAs MSM受光素子(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs MSM waveguide-photodetector integrated on Si wire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光配線 / Optical interconnection |
| キーワード(2)（和/英） | 受光素子 / photo-detector |
| キーワード(3)（和/英） | Si導波路 / Si waveguide |
| キーワード(4)（和/英） | Siフォトニクス / Si photonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大平 和哉 / Kazuya OHIRA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 信夫 / Nobuo SUZUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江崎 瑞仙 / Mizunori EZAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2008-12-19 |
| 資料番号 | OPE2008-142 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 370 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |